Gelieferte Gesamtleistung in NMOS Taschenrechner

✖Die Versorgungsspannung ist der Spannungspegel, mit dem ein elektronisches Gerät versorgt wird, und es handelt sich um einen kritischen Parameter, der die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts beeinflusst.ⓘ Versorgungsspannung [V_dd]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Drainstrom im NMOS [I_d]			+10% -10%
✖Strom ist der Effektivwert der Ströme, die durch n-Typ-MOSFETs in einer kombinierten Zustandsschaltung fließen.ⓘ Aktuell [I]			+10% -10%

✖Stromversorgung wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Stromversorgung kleiner elektronischer Geräte bis hin zur Stromversorgung großer Industriemaschinen und -systeme.ⓘ Gelieferte Gesamtleistung in NMOS [P_S]

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Formel

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Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Formel

`"P"_{"S"} = "V"_{"dd"}*("I"_{"d"}+"I")`

Beispiel

`"1464mW"="6V"*("239mA"+"5mA")`

Taschenrechner

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Gelieferte Gesamtleistung in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)
P_S = V_dd*(I_d+I)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Stromversorgung - (Gemessen in Watt) - Stromversorgung wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Stromversorgung kleiner elektronischer Geräte bis hin zur Stromversorgung großer Industriemaschinen und -systeme.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist der Spannungspegel, mit dem ein elektronisches Gerät versorgt wird, und es handelt sich um einen kritischen Parameter, der die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts beeinflusst.
Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Aktuell - (Gemessen in Ampere) - Strom ist der Effektivwert der Ströme, die durch n-Typ-MOSFETs in einer kombinierten Zustandsschaltung fließen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Versorgungsspannung: 6 Volt --> 6 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Drainstrom im NMOS: 239 Milliampere --> 0.239 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Aktuell: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_S = V_dd*(I_d+I) --> 6*(0.239+0.005)

Auswerten ... ...

P_S = 1.464

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.464 Watt -->1464 Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1464 Milliwatt <-- Stromversorgung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS Formel

Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)
P_S = V_dd*(I_d+I)

Was ist Verlustleistung?

Die Definition der Verlustleistung ist der Prozess, durch den ein elektronisches oder elektrisches Gerät Wärme (Energieverlust oder Abfall) als unerwünschte Ableitung seiner primären Wirkung erzeugt. Wie bei Zentraleinheiten ist die Verlustleistung ein Hauptanliegen in der Computerarchitektur. Darüber hinaus wird die Verlustleistung in Widerständen als ein natürlich vorkommendes Phänomen angesehen. Es bleibt die Tatsache, dass alle Widerstände, die Teil eines Stromkreises sind und einen Spannungsabfall aufweisen, elektrische Energie abführen. Darüber hinaus wandelt sich diese elektrische Leistung in Wärmeenergie um, und daher haben alle Widerstände eine (Leistungs-) Nennleistung. Die Nennleistung eines Widerstands ist auch eine Klassifizierung, die die maximale Leistung parametrisiert, die er verbrauchen kann, bevor er einen kritischen Fehler erreicht.

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