Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor Taschenrechner

✖Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich innerhalb der Oberflächenschicht eines Materials zu bewegen oder zu leiten, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.ⓘ Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals [μ_n]			+10% -10%
✖Das elektrische Feld über die Länge des Kanals ist die Kraft pro Ladungseinheit, die ein Teilchen erfährt, wenn es sich durch den Kanal bewegt.ⓘ Elektrisches Feld über die Länge des Kanals [E_L]			+10% -10%

✖Die Elektronendriftgeschwindigkeit ist auf das elektrische Feld zurückzuführen, das wiederum dazu führt, dass die Kanalelektronen mit einer Geschwindigkeit in Richtung Drain driften.ⓘ Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor [v_d]

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Formel

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Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Formel

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Beispiel

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

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Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals
v_d = μ_n*E_L
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Elektronendriftgeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die Elektronendriftgeschwindigkeit ist auf das elektrische Feld zurückzuführen, das wiederum dazu führt, dass die Kanalelektronen mit einer Geschwindigkeit in Richtung Drain driften.
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Elektronen an der Oberfläche eines Kanals bezieht sich auf die Fähigkeit von Elektronen, sich innerhalb der Oberflächenschicht eines Materials zu bewegen oder zu leiten, wenn es einem elektrischen Feld ausgesetzt wird.
Elektrisches Feld über die Länge des Kanals - (Gemessen in Volt) - Das elektrische Feld über die Länge des Kanals ist die Kraft pro Ladungseinheit, die ein Teilchen erfährt, wenn es sich durch den Kanal bewegt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals: 2.2 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 2.2 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Elektrisches Feld über die Länge des Kanals: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Auswerten ... ...

v_d = 23.32

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

23.32 Meter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

23.32 Meter pro Sekunde <-- Elektronendriftgeschwindigkeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor Formel

Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals
v_d = μ_n*E_L

Erklären Sie die Arbeitsweise des NMOS-Transistors.

Ein NMOS-Transistor mit einer Spannung über der Gasquelle> Schwellenspannung und einer kleinen Spannung zwischen Drain und Source. Das Gerät wirkt als Widerstand, dessen Wert durch die Spannung an der Gasquelle bestimmt wird. Insbesondere ist die Kanalleitfähigkeit proportional zur Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung, und daher ist Id proportional zur Spannung (Spannung über der Gasquelle - Schwellenspannung) zwischen Drain und Source

Was ist die Mobilität von Elektronen im Kanal?

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