Gesamtlaufzeit Taschenrechner

✖Die Basistransitzeit ist die durchschnittliche Zeit, die die Minderheitsfluggesellschaften benötigen, um die quasineutrale Region in der Basis zu durchqueren.ⓘ Basislaufzeit [τ_b]			+10% -10%
✖Die Transitzeit der Kollektor-Verarmungszone in einem BJT bezieht sich auf die Dauer, die Ladungsträger benötigen, um durch die Kollektor-Emitter-Region des Transistors zu wandern.ⓘ Collector-Depletion-Region [τ_ttc]			+10% -10%

✖Die Gesamttransitzeit in einem BJT ist die Dauer, die Ladungsträger benötigen, um den Transistor zu durchqueren, und deckt die Transitzeiten der Basis- und Kollektor-Emitter-Region ab.ⓘ Gesamtlaufzeit [τ_tt]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Gesamtlaufzeit

Formel

`"τ"_{"tt"} = "τ"_{"b"}+"τ"_{"ttc"}`

Beispiel

`"19μs"="10.1μs"+"8.9μs"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen BJT-Mikrowellengeräte Formeln Pdf PDF Image

Gesamtlaufzeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region
τ_tt = τ_b+τ_ttc
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamtlaufzeit - (Gemessen in Zweite) - Die Gesamttransitzeit in einem BJT ist die Dauer, die Ladungsträger benötigen, um den Transistor zu durchqueren, und deckt die Transitzeiten der Basis- und Kollektor-Emitter-Region ab.
Basislaufzeit - (Gemessen in Zweite) - Die Basistransitzeit ist die durchschnittliche Zeit, die die Minderheitsfluggesellschaften benötigen, um die quasineutrale Region in der Basis zu durchqueren.
Collector-Depletion-Region - (Gemessen in Zweite) - Die Transitzeit der Kollektor-Verarmungszone in einem BJT bezieht sich auf die Dauer, die Ladungsträger benötigen, um durch die Kollektor-Emitter-Region des Transistors zu wandern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basislaufzeit: 10.1 Mikrosekunde --> 1.01E-05 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Collector-Depletion-Region: 8.9 Mikrosekunde --> 8.9E-06 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

τ_tt = τ_b+τ_ttc --> 1.01E-05+8.9E-06

Auswerten ... ...

τ_tt = 1.9E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.9E-05 Zweite -->19 Mikrosekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19 Mikrosekunde <-- Gesamtlaufzeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenhalbleiterbauelemente » BJT-Mikrowellengeräte » Gesamtlaufzeit

Credits

Erstellt von Gowthaman N

Vellore Institut für Technologie (VIT-Universität), Chennai

Gowthaman N hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom