Spannung zwischen Gate und Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Vgs = Vin/(1+Gm*R)
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Eingangsspannung ist die Spannung, mit der das Gerät versorgt wird.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem elektrischen Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Widerstand: 1.13 Kiloohm --> 1130 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgs = Vin/(1+Gm*R) --> 2.5/(1+0.00172*1130)
Auswerten ... ...
Vgs = 0.849300176654437
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.849300176654437 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.849300176654437 0.8493 Volt <-- Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

12 Stromspannung Taschenrechner

Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz bei gegebener komplexer Frequenzvariable
​ Gehen Eingangsspannung = Basisstrom/((1/Eingangswiderstand)+Komplexe Frequenzvariable*(Kollektor-Basis-Übergangskapazität+Basis-Emitter-Übergangskapazität))
Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)
Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz
​ Gehen Eingangsspannung = Basisstrom*(1/Eingangswiderstand+1/Kollektor-Basis-Übergangskapazität+1/Emitter-Basis-Kapazität)
Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
​ Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Spannung zwischen Gate und Source
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Ausgangsspannung bei Steilheit
​ Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Lastwiderstand*Eingangsspannung)
Kleinsignal-Eingangsspannung bei Transkonduktanz
​ Gehen Kleines Signal = Eingangsspannung*(1/(1+Steilheit*Widerstand))
Einzelne Komponente der Drain-Spannung
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
Versorgungsspannung bei maximaler Verlustleistung
​ Gehen Versorgungsspannung = (pi*Leistung)/2

Spannung zwischen Gate und Source Formel

Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Vgs = Vin/(1+Gm*R)

Warum ist die Spannung zwischen Gate und Source für den Transistor wichtig?

Die Gate-Source-Spannung V.

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