Taschenrechner A bis Z
🔍
Herunterladen PDF
Chemie
Maschinenbau
Finanz
Gesundheit
Mathe
Physik
Spannung zwischen Gate und Source Taschenrechner
Maschinenbau
Chemie
Finanz
Gesundheit
Mathe
Physik
Spielplatz
↳
Elektronik
Bürgerlich
Chemieingenieurwesen
Elektrisch
Elektronik und Instrumentierung
Fertigungstechnik
Materialwissenschaften
Mechanisch
⤿
Analoge Elektronik
Analoge Kommunikation
Antenne
CMOS-Design und Anwendungen
Digitale Bildverarbeitung
Digitale Kommunikation
EDC
Eingebettetes System
Fernsehtechnik
Festkörpergeräte
Glasfaserdesign
Glasfaserübertragung
HF-Mikroelektronik
Informationstheorie und Kodierung
Integrierte Schaltkreise (IC)
Kabellose Kommunikation
Kontrollsystem
Leistungselektronik
Mikrowellentheorie
Optoelektronische Geräte
Radarsystem
Satellitenkommunikation
Signal und Systeme
Telekommunikationsvermittlungssysteme
Theorie des elektromagnetischen Feldes
Übertragungsleitung und Antenne
Verstärker
VLSI-Herstellung
⤿
BJT
MOSFET
⤿
Stromspannung
Aktuell
BJT-Schaltung
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR)
Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell
Steilheit
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Widerstand
✖
Eingangsspannung ist die Spannung, mit der das Gerät versorgt wird.
ⓘ
Eingangsspannung [V
in
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
ⓘ
Steilheit [G
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
Megasiemens
Mho
Mikromho
Mikrosiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Quantisierte Hallleitfähigkeit
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem elektrischen Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.
ⓘ
Widerstand [R]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
ⓘ
Spannung zwischen Gate und Source [V
gs
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Spannung zwischen Gate und Source
Formel
`"V"_{"gs"} = "V"_{"in"}/(1+"G"_{"m"}*"R")`
Beispiel
`"0.8493V"="2.50V"/(1+"1.72mS"*"1.13kΩ")`
Taschenrechner
LaTeX
Rücksetzen
👍
Herunterladen BJT Formel Pdf
Spannung zwischen Gate und Source Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung
=
Eingangsspannung
/(1+
Steilheit
*
Widerstand
)
V
gs
=
V
in
/(1+
G
m
*
R
)
Diese formel verwendet
4
Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
Eingangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Eingangsspannung ist die Spannung, mit der das Gerät versorgt wird.
Steilheit
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Widerstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem elektrischen Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Eingangsspannung:
2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit:
1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Widerstand:
1.13 Kiloohm --> 1130 Ohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
V
gs
= V
in
/(1+G
m
*R) -->
2.5/(1+0.00172*1130)
Auswerten ... ...
V
gs
= 0.849300176654437
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.849300176654437 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.849300176654437
≈
0.8493 Volt
<--
Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
Du bist da
-
Zuhause
»
Maschinenbau
»
Elektronik
»
BJT
»
Analoge Elektronik
»
Stromspannung
»
Spannung zwischen Gate und Source
Credits
Erstellt von
Payal Priya
Birsa Institute of Technology
(BISSCHEN)
,
Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College
(VGEC)
,
Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!
<
12 Stromspannung Taschenrechner
Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz bei gegebener komplexer Frequenzvariable
Gehen
Eingangsspannung
=
Basisstrom
/((1/
Eingangswiderstand
)+
Komplexe Frequenzvariable
*(
Kollektor-Basis-Übergangskapazität
+
Basis-Emitter-Übergangskapazität
))
Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers
Gehen
Kollektor-Emitter-Spannung
=
Versorgungsspannung
-
Lastwiderstand
*
Sättigungsstrom
*e^(
Basis-Emitter-Spannung
/
Grenzspannung
)
Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz
Gehen
Eingangsspannung
=
Basisstrom
*(1/
Eingangswiderstand
+1/
Kollektor-Basis-Übergangskapazität
+1/
Emitter-Basis-Kapazität
)
Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
Gehen
Gesamte momentane Drain-Spannung
= -
Steilheit
*
Eingangsspannung
*
Lastwiderstand
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
Gehen
Ausgangsspannung
=
Versorgungsspannung
-
Stromverbrauch
*
Lastwiderstand
Spannung zwischen Gate und Source
Gehen
Gate-Source-Spannung
=
Eingangsspannung
/(1+
Steilheit
*
Widerstand
)
Ausgangsspannung bei Steilheit
Gehen
Ausgangsspannung
= -(
Steilheit
*
Lastwiderstand
*
Eingangsspannung
)
Kleinsignal-Eingangsspannung bei Transkonduktanz
Gehen
Kleines Signal
=
Eingangsspannung
*(1/(1+
Steilheit
*
Widerstand
))
Einzelne Komponente der Drain-Spannung
Gehen
Gesamte momentane Drain-Spannung
= (-
Änderung des Drainstroms
*
Lastwiderstand
)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
Gehen
Kollektor-Emitter-Spannung
=
Basis-Emitter-Spannung
-
Basis-Kollektor-Spannung
Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
Gehen
Gate-Source-Spannung
=
Kleines Signal
+
Spannung über Oxid
Versorgungsspannung bei maximaler Verlustleistung
Gehen
Versorgungsspannung
= (
pi
*
Leistung
)/2
Spannung zwischen Gate und Source Formel
Gate-Source-Spannung
=
Eingangsspannung
/(1+
Steilheit
*
Widerstand
)
V
gs
=
V
in
/(1+
G
m
*
R
)
Warum ist die Spannung zwischen Gate und Source für den Transistor wichtig?
Die Gate-Source-Spannung V.
Zuhause
FREI PDFs
🔍
Suche
Kategorien
Teilen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!