Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
Vgs = Vss+Vox
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung des Transistors ist die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt.
Kleines Signal - (Gemessen in Volt) - Ein kleines Signal ist ein Wechselstromsignal (technischer ausgedrückt ein Signal mit einem Mittelwert von Null), das einem Vorspannungssignal überlagert ist (oder einem konstanten Gleichstromsignal überlagert ist).
Spannung über Oxid - (Gemessen in Volt) - Spannung über Oxid aufgrund der Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche und der dritte Term aufgrund der Ladungsdichte im Oxid.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kleines Signal: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Spannung über Oxid: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgs = Vss+Vox --> 3.2+1.5
Auswerten ... ...
Vgs = 4.7
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4.7 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4.7 Volt <-- Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Prahalad Singh
Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

12 Stromspannung Taschenrechner

Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz bei gegebener komplexer Frequenzvariable
​ Gehen Eingangsspannung = Basisstrom/((1/Eingangswiderstand)+Komplexe Frequenzvariable*(Kollektor-Basis-Übergangskapazität+Basis-Emitter-Übergangskapazität))
Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)
Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz
​ Gehen Eingangsspannung = Basisstrom*(1/Eingangswiderstand+1/Kollektor-Basis-Übergangskapazität+1/Emitter-Basis-Kapazität)
Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
​ Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Spannung zwischen Gate und Source
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)
Ausgangsspannung bei Steilheit
​ Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Lastwiderstand*Eingangsspannung)
Kleinsignal-Eingangsspannung bei Transkonduktanz
​ Gehen Kleines Signal = Eingangsspannung*(1/(1+Steilheit*Widerstand))
Einzelne Komponente der Drain-Spannung
​ Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
​ Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
Versorgungsspannung bei maximaler Verlustleistung
​ Gehen Versorgungsspannung = (pi*Leistung)/2

Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung Formel

Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid
Vgs = Vss+Vox

Was ist MOSFET und seine Anwendung?

Es dient zum Schalten oder Verstärken von Signalen. Die Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Schalten elektronischer Signale verwendet werden. MOSFETs sind heute in digitalen und analogen Schaltungen noch häufiger als BJTs (Bipolartransistoren).

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