Calculadora Corriente base 2 de BJT

✖La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.ⓘ Corriente de saturación [I_sat]			+10% -10%
✖La ganancia de corriente del emisor común está influenciada por 2 factores: el ancho de la región base W y los dopajes relativos de la región base y la región del emisor. Su rango varía de 50 a 200.ⓘ Ganancia de corriente de emisor común [β]			+10% -10%
✖El voltaje base-emisor es el voltaje directo entre la base y el emisor del transistor.ⓘ Voltaje base-emisor [V_BE]			+10% -10%
✖El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.ⓘ Voltaje Térmico [V_t]			+10% -10%

✖La corriente base es una corriente crucial del transistor de unión bipolar. Sin la corriente base, el transistor no puede encenderse.ⓘ Corriente base 2 de BJT [I_B]

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Fórmula

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Corriente base 2 de BJT

Fórmula

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*(e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"}))`

Ejemplo

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*(e^("5.15V"/"4.7V"))`

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Corriente base 2 de BJT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variables

Constantes utilizadas

e - la constante de napier Valor tomado como 2.71828182845904523536028747135266249

Variables utilizadas

corriente básica - (Medido en Amperio) - La corriente base es una corriente crucial del transistor de unión bipolar. Sin la corriente base, el transistor no puede encenderse.
Corriente de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de saturación es la densidad de corriente de fuga del diodo en ausencia de luz. Es un parámetro importante que diferencia un diodo de otro.
Ganancia de corriente de emisor común - La ganancia de corriente del emisor común está influenciada por 2 factores: el ancho de la región base W y los dopajes relativos de la región base y la región del emisor. Su rango varía de 50 a 200.
Voltaje base-emisor - (Medido en Voltio) - El voltaje base-emisor es el voltaje directo entre la base y el emisor del transistor.
Voltaje Térmico - (Medido en Voltio) - El voltaje térmico es el voltaje producido dentro de la unión pn.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de saturación: 1.675 Miliamperio --> 0.001675 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Ganancia de corriente de emisor común: 65 --> No se requiere conversión
Voltaje base-emisor: 5.15 Voltio --> 5.15 Voltio No se requiere conversión
Voltaje Térmico: 4.7 Voltio --> 4.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t)) --> (0.001675/65)*(e^(5.15/4.7))

Evaluar ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.70863217186262E-05 Amperio -->0.0770863217186262 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Miliamperio <-- corriente básica

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 14 corriente básica Calculadoras

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)

Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Vamos Corriente de saturación = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base)

Ganancia de corriente de cortocircuito de BJT

Vamos Ganancia de corriente de cortocircuito = (Ganancia de corriente de emisor común a baja frecuencia)/(1+Variable de frecuencia compleja*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)*Resistencia de entrada)

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente base 2 de BJT

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente de referencia del espejo de corriente BJT

Vamos Corriente de referencia = (Voltaje de suministro-Voltaje base-emisor)/Resistencia

Corriente de referencia del espejo BJT dada la corriente del colector

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente*(1+2/Ganancia de corriente de emisor común)

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente base 1 de BJT

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente básica total

Vamos corriente básica = Corriente básica 1+Corriente base 2

Corriente base 2 de BJT Fórmula

corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))

¿Cuáles son los componentes de la corriente base?

La corriente de base 2 se debe a los orificios inyectados desde la región de la base en la región del emisor. Este componente de corriente es proporcional a e ^ V

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