Corrente Base 2 do BJT Calculadora

✖Corrente de saturação é a densidade de corrente de fuga do diodo na ausência de luz. É um parâmetro importante que diferencia um diodo de outro.ⓘ Corrente de saturação [I_sat]			+10% -10%
✖O ganho de corrente do emissor comum é influenciado por 2 fatores: largura da região de base W e dopagem relativa da região de base e região do emissor. Seu alcance varia de 50-200.ⓘ Ganho de Corrente do Emissor Comum [β]			+10% -10%
✖A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.ⓘ Tensão Base-Emissor [V_BE]			+10% -10%
✖Tensão Térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.ⓘ Tensão Térmica [V_t]			+10% -10%

✖A corrente de base é uma corrente crucial do transistor de junção bipolar. Sem a corrente de base, o transistor não pode ligar.ⓘ Corrente Base 2 do BJT [I_B]

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Fórmula

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Corrente Base 2 do BJT

Fórmula

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*(e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"}))`

Exemplo

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*(e^("5.15V"/"4.7V"))`

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Corrente Base 2 do BJT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variáveis

Constantes Usadas

e - Constante de Napier Valor considerado como 2.71828182845904523536028747135266249

Variáveis Usadas

Corrente base - (Medido em Ampere) - A corrente de base é uma corrente crucial do transistor de junção bipolar. Sem a corrente de base, o transistor não pode ligar.
Corrente de saturação - (Medido em Ampere) - Corrente de saturação é a densidade de corrente de fuga do diodo na ausência de luz. É um parâmetro importante que diferencia um diodo de outro.
Ganho de Corrente do Emissor Comum - O ganho de corrente do emissor comum é influenciado por 2 fatores: largura da região de base W e dopagem relativa da região de base e região do emissor. Seu alcance varia de 50-200.
Tensão Base-Emissor - (Medido em Volt) - A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão Térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente de saturação: 1.675 Miliamperes --> 0.001675 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Ganho de Corrente do Emissor Comum: 65 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão Base-Emissor: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Térmica: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t)) --> (0.001675/65)*(e^(5.15/4.7))

Avaliando ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7.70863217186262E-05 Ampere -->0.0770863217186262 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Miliamperes <-- Corrente base

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Corrente Base Calculadoras

Corrente de base usando corrente de saturação em CC

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)+Pressão de vapor de saturação*e^(Tensão do Coletor de Base/Tensão Térmica)

Corrente de saturação usando concentração de dopagem

Vai Corrente de saturação = (Área da Seção Transversal da Junção Base-Emissor*[Charge-e]*Difusividade de elétrons*(Concentração de Portadores Intrínsecos)^2)/(Largura da junção da base*Dopagem Concentração de Base)

Ganho de corrente de curto-circuito do BJT

Vai Ganho de corrente de curto-circuito = (Ganho de corrente do emissor comum em baixa frequência)/(1+Variável de frequência complexa*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)*Resistência de entrada)

Dreno de corrente determinado parâmetro do dispositivo

Vai Drenar Corrente = 1/2*Transcondutância*Proporção da tela*(Tensão efetiva-Tensão de limiar)^2*(1+Parâmetro do dispositivo*Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente Base 2 do BJT

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))

Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Corrente de Referência do Espelho BJT

Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente de Referência do Espelho de Corrente BJT

Vai Corrente de referência = (Tensão de alimentação-Tensão Base-Emissor)/Resistência

Corrente de Referência do Espelho BJT dada a Corrente do Coletor

Vai Corrente de referência = Coletor atual*(1+2/Ganho de Corrente do Emissor Comum)

Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor

Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)

Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum

Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor

Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente Base 1 do BJT

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Corrente base total

Vai Corrente base = Corrente base 1+Corrente base 2

Corrente Base 2 do BJT Fórmula

Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*(e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))

Quais são os componentes da corrente de base?

A corrente de base 2 é devida aos orifícios injetados da região de base para a região do emissor. Este componente atual é proporcional a e ^ V

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