Prąd bazowy 2 BJT Kalkulator

✖Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.ⓘ Prąd nasycenia [I_sat]			+10% -10%
✖Na wzmocnienie prądu wspólnego emitera mają wpływ 2 czynniki: szerokość obszaru podstawowego W oraz względne domieszkowanie obszaru podstawowego i obszaru emitera. Jego zakres waha się od 50-200.ⓘ Wzmocnienie prądu wspólnego emitera [β]			+10% -10%
✖Napięcie baza-emiter to napięcie przewodzenia między bazą a emiterem tranzystora.ⓘ Napięcie baza-emiter [V_BE]			+10% -10%
✖Napięcie termiczne to napięcie wytwarzane w złączu pn.ⓘ Napięcie termiczne [V_t]			+10% -10%

✖Prąd bazowy jest kluczowym prądem bipolarnego tranzystora złączowego. Bez prądu bazowego tranzystor nie może się włączyć.ⓘ Prąd bazowy 2 BJT [I_B]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd bazowy 2 BJT

Formuła

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*(e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"}))`

Przykład

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*(e^("5.15V"/"4.7V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać BJT Formułę PDF

Prąd bazowy 2 BJT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*(e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne

Używane stałe

e - Stała Napiera Wartość przyjęta jako 2.71828182845904523536028747135266249

Używane zmienne

Prąd bazowy - (Mierzone w Amper) - Prąd bazowy jest kluczowym prądem bipolarnego tranzystora złączowego. Bez prądu bazowego tranzystor nie może się włączyć.
Prąd nasycenia - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Wzmocnienie prądu wspólnego emitera - Na wzmocnienie prądu wspólnego emitera mają wpływ 2 czynniki: szerokość obszaru podstawowego W oraz względne domieszkowanie obszaru podstawowego i obszaru emitera. Jego zakres waha się od 50-200.
Napięcie baza-emiter - (Mierzone w Wolt) - Napięcie baza-emiter to napięcie przewodzenia między bazą a emiterem tranzystora.
Napięcie termiczne - (Mierzone w Wolt) - Napięcie termiczne to napięcie wytwarzane w złączu pn.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd nasycenia: 1.675 Miliamper --> 0.001675 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Wzmocnienie prądu wspólnego emitera: 65 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie baza-emiter: 5.15 Wolt --> 5.15 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie termiczne: 4.7 Wolt --> 4.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t)) --> (0.001675/65)*(e^(5.15/4.7))

Ocenianie ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

7.70863217186262E-05 Amper -->0.0770863217186262 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Miliamper <-- Prąd bazowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » BJT » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd bazowy » Prąd bazowy 2 BJT

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 14 Prąd bazowy Kalkulatory

Prąd bazowy przy użyciu prądu nasycenia w DC

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)+Ciśnienie pary nasyconej*e^(Napięcie baza-kolektor/Napięcie termiczne)

Prąd nasycenia przy użyciu stężenia dopingu

Iść Prąd nasycenia = (Powierzchnia przekroju poprzecznego złącza baza-emiter*[Charge-e]*Dyfuzyjność elektronów*(Wewnętrzne stężenie nośnika)^2)/(Szerokość złącza podstawowego*Doping Stężenie zasady)

Wzmocnienie prądu zwarciowego BJT

Iść Wzmocnienie prądu zwarciowego = (Wzmocnienie prądu wspólnego emitera przy niskiej częstotliwości)/(1+Złożona zmienna częstotliwości*(Pojemność bazowa emitera+Pojemność złącza kolektor-baza)*Rezystancja wejściowa)

Prąd drenu podany parametr urządzenia

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja*Współczynnik proporcji*(Efektywne napięcie-Próg napięcia)^2*(1+Parametr urządzenia*Napięcie między drenem a źródłem)

Prąd bazowy 2 BJT

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*(e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne))

Prąd bazowy tranzystora PNP przy użyciu prądu nasycenia

Iść Prąd bazowy = (Prąd nasycenia/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)*e^(Napięcie baza-emiter/Napięcie termiczne)

Prąd odniesienia lustra BJT

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora+(2*Prąd kolektora)/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Prąd odniesienia BJT Current Mirror

Iść Prąd odniesienia = (Napięcie zasilania-Napięcie baza-emiter)/Opór

Prąd odniesienia BJT Mirror przy danym prądzie kolektora

Iść Prąd odniesienia = Prąd kolektora*(1+2/Wzmocnienie prądu wspólnego emitera)

Prąd bazowy tranzystora PNP przy danym prądzie emitera

Iść Prąd bazowy = Prąd emitera/(Wzmocnienie prądu wspólnego emitera+1)