Calculadora CMOS significa ruta libre

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Subsistema de propósito especial CMOS

Subsistema de ruta de datos de matriz

✖El voltaje crítico en CMOS es la fase mínima al voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.ⓘ Voltaje crítico en CMOS [V_c]			+10% -10%
✖El campo eléctrico crítico se define como la fuerza eléctrica por unidad de carga.ⓘ Campo eléctrico crítico [E_c]			+10% -10%

✖La trayectoria libre media se define como la distancia promedio recorrida por una partícula en movimiento entre impactos sucesivos, que modifica su dirección o energía u otras propiedades de la partícula.ⓘ CMOS significa ruta libre [L]

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Fórmula

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CMOS significa ruta libre

Fórmula

`"L" = "V"_{"c"}/"E"_{"c"}`

Ejemplo

`"697.5mm"="2.79V"/"0.004V/mm"`

Calculadora

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CMOS significa ruta libre Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
L = V_c/E_c
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Camino libre medio - (Medido en Metro) - La trayectoria libre media se define como la distancia promedio recorrida por una partícula en movimiento entre impactos sucesivos, que modifica su dirección o energía u otras propiedades de la partícula.
Voltaje crítico en CMOS - (Medido en Voltio) - El voltaje crítico en CMOS es la fase mínima al voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Campo eléctrico crítico - (Medido en voltios por metro) - El campo eléctrico crítico se define como la fuerza eléctrica por unidad de carga.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje crítico en CMOS: 2.79 Voltio --> 2.79 Voltio No se requiere conversión
Campo eléctrico crítico: 0.004 voltios por milímetro --> 4 voltios por metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L = V_c/E_c --> 2.79/4

Evaluar ... ...

L = 0.6975

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.6975 Metro -->697.5 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

697.5 Milímetro <-- Camino libre medio

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

CMOS significa ruta libre Fórmula

Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
L = V_c/E_c

¿Cuáles son los efectos de la temperatura sobre la corriente de saturación inversa y el voltaje de barrera?

La temperatura tiene un impacto significativo en la corriente de saturación inversa y el voltaje de barrera en los transistores de película delgada. Un aumento de la temperatura normalmente produce un aumento de la corriente de saturación inversa y una disminución del voltaje de barrera. Esto se debe a que temperaturas más altas conducen a un aumento de la energía cinética del gas, lo que puede facilitar la inyección de portadores de carga en la región de agotamiento del transistor.

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