La temperatura tiene un impacto significativo en la corriente de saturación inversa y el voltaje de barrera en los transistores de película delgada. Un aumento de la temperatura normalmente produce un aumento de la corriente de saturación inversa y una disminución del voltaje de barrera. Esto se debe a que temperaturas más altas conducen a un aumento de la energía cinética del gas, lo que puede facilitar la inyección de portadores de carga en la región de agotamiento del transistor.