Calculadora Ancho de difusión de la fuente

↳

Electrónica

Ciencia de los Materiales

Civil

Eléctrico

Electrónica e instrumentación

Ingeniería de Producción

Ingeniería Química

Mecánico

⤿

Características del circuito CMOS

Características de diseño CMOS

Características de retardo CMOS

Características de tiempo CMOS

Inversores CMOS

Métricas de potencia CMOS

Subsistema de propósito especial CMOS

Subsistema de ruta de datos de matriz

✖El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.ⓘ Área de difusión de fuentes [A_s]			+10% -10%
✖La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.ⓘ Longitud de la fuente [D_s]			+10% -10%

✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de difusión de la fuente [W]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Ancho de difusión de la fuente

Fórmula

`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"} `

Ejemplo

`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm" `

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Características del circuito CMOS Fórmulas PDF

Ancho de difusión de la fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
W = A_s/D_s
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.
Área de difusión de fuentes - (Medido en Metro cuadrado) - El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.
Longitud de la fuente - (Medido en Metro) - La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Área de difusión de fuentes: 5479 Milímetro cuadrado --> 0.005479 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la fuente: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

Evaluar ... ...

W = 0.0898196721311476

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0898196721311476 Metro -->89.8196721311476 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

89.8196721311476 ≈ 89.81967 Milímetro <-- Ancho de transición

(Cálculo completado en 00.007 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Diseño y aplicaciones CMOS » Características del circuito CMOS » Ancho de difusión de la fuente

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Ancho de difusión de la fuente Fórmula

Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
W = A_s/D_s

¿Cuáles son las aplicaciones de la Difusión en Fuente?

La difusión de fuentes es un proceso crítico en la tecnología CMOS, con numerosas aplicaciones. Se utiliza para reducir las dimensiones de los transistores, mejorar el rendimiento de circuitos consecutivos y aumentar la velocidad general de los chips. Además, la difusión de la fuente facilita la integración de múltiples transistores en un solo chip, lo que permite la fabricación de circuitos integrados complejos y de alta densidad.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!