Calculadora Área de difusión de fuentes

✖La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.ⓘ Longitud de la fuente [D_s]			+10% -10%
✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de transición [W]			+10% -10%

✖El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.ⓘ Área de difusión de fuentes [A_s]

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Área de difusión de fuentes Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
A_s = D_s*W
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Área de difusión de fuentes - (Medido en Metro cuadrado) - El área de difusión de la fuente se define como el movimiento neto de cualquier cosa desde una región de mayor concentración a una región de menor concentración en la puerta de la fuente.
Longitud de la fuente - (Medido en Metro) - La longitud de la fuente se define como la longitud total observada en la unión de la fuente del MOSFET.
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Longitud de la fuente: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique la conversión aquí)
Ancho de transición: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Evaluar ... ...

A_s = 0.00547902

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.00547902 Metro cuadrado -->5479.02 Milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

5479.02 Milímetro cuadrado <-- Área de difusión de fuentes

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Ancho de difusión de la fuente

LaTeX Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

LaTeX Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

LaTeX Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

LaTeX Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Área de difusión de fuentes Fórmula

LaTeX Vamos

Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
A_s = D_s*W

¿Qué puedes decir sobre el proceso de dopaje en CMOS?

El dopaje en CMOS es un proceso de introducción de impurezas en el material semiconductor para modificar sus propiedades eléctricas. Este proceso puede mejorar el rendimiento de los dispositivos CMOS al reducir la resistencia, aumentar la movilidad y mejorar el aislamiento entre diferentes componentes. El dopaje se puede realizar mediante diversas técnicas, incluidas la implantación y la difusión.

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