Calculadora Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

✖La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.ⓘ Transconductancia [G_m]			+10% -10%
✖La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.ⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje efectivo [V_ov]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.ⓘ Voltaje de umbral [V_th]			+10% -10%
✖El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.ⓘ Parámetro del dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.ⓘ Voltaje entre drenaje y fuente [V_DS]			+10% -10%

✖La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.ⓘ Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje [I_d]

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Fórmula

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Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

Fórmula

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Ejemplo

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

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Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Esta fórmula usa 7 Variables

Variables utilizadas

Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje por debajo del voltaje de umbral se define como la corriente de subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de puerta a fuente.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.
Relación de aspecto - La relación de aspecto es la relación entre el ancho del canal y la longitud del canal.
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobremarcha es el exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.
Parámetro del dispositivo - El parámetro del dispositivo es el parámetro utilizado en el cálculo relacionado con BJT.
Voltaje entre drenaje y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre drenaje y fuente es voltaje positivo aplicado entre drenaje y fuente, habiendo inducido un canal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 1.72 milisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Relación de aspecto: 8.75 --> No se requiere conversión
Voltaje efectivo: 25 Voltio --> 25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 5.5 Voltio --> 5.5 Voltio No se requiere conversión
Parámetro del dispositivo: 0.024 --> No se requiere conversión
Voltaje entre drenaje y fuente: 7.35 Voltio --> 7.35 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Evaluar ... ...

I_d = 3.3661289025

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.3661289025 Amperio -->3366.1289025 Miliamperio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

3366.1289025 ≈ 3366.129 Miliamperio <-- Corriente de drenaje

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 14 corriente básica Calculadoras

Corriente base utilizando corriente de saturación en CC

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)+Presión de vapor de saturación*e^(Voltaje base-colector/Voltaje Térmico)

Corriente de saturación usando concentración de dopaje

Vamos Corriente de saturación = (Área de sección transversal de la unión base-emisor*[Charge-e]*Difusividad de electrones*(Concentración de portador intrínseco)^2)/(Ancho de la unión base*Dopaje Concentración de Base)

Ganancia de corriente de cortocircuito de BJT

Vamos Ganancia de corriente de cortocircuito = (Ganancia de corriente de emisor común a baja frecuencia)/(1+Variable de frecuencia compleja*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)*Resistencia de entrada)

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Transconductancia*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo-Voltaje de umbral)^2*(1+Parámetro del dispositivo*Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente base 2 de BJT

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*(e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente de referencia del espejo de corriente BJT

Vamos Corriente de referencia = (Voltaje de suministro-Voltaje base-emisor)/Resistencia

Corriente de referencia del espejo BJT dada la corriente del colector

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente*(1+2/Ganancia de corriente de emisor común)

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente base 1 de BJT

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Corriente básica total

Vamos corriente básica = Corriente básica 1+Corriente base 2

Parámetro de dispositivo dado de corriente de drenaje Fórmula

¿Qué es la corriente de drenaje en MOSFET?

La corriente de drenaje por debajo del voltaje umbral se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con Vgs. El recíproco de la pendiente del registro (Ids) frente a la característica Vgs se define como la pendiente subumbral, S, y es una de las métricas de rendimiento más críticas para los MOSFET en aplicaciones lógicas.

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