Courant de drain donné Paramètre de l'appareil Calculatrice

✖La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.ⓘ Transconductance [G_m]			+10% -10%
✖Le format d'image est le rapport entre la largeur du canal et la longueur du canal.ⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension effective ou la tension de surcharge est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.ⓘ Tension efficace [V_ov]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%
✖paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au BJT.ⓘ Paramètre de l'appareil [V_A]			+10% -10%
✖La tension entre drain et source est une tension positive appliquée entre drain et source, ayant induit un canal.ⓘ Tension entre drain et source [V_DS]			+10% -10%

✖Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous le seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drain donné Paramètre de l'appareil [I_d]

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Formule

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Courant de drain donné Paramètre de l'appareil

Formule

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Exemple

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

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Courant de drain donné Paramètre de l'appareil Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Cette formule utilise 7 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous le seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.
Ratio d'aspect - Le format d'image est le rapport entre la largeur du canal et la longueur du canal.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective ou la tension de surcharge est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.
Paramètre de l'appareil - paramètre de l'appareil est le paramètre utilisé dans le calcul lié au BJT.
Tension entre drain et source - (Mesuré en Volt) - La tension entre drain et source est une tension positive appliquée entre drain et source, ayant induit un canal.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 1.72 millisiemens --> 0.00172 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 8.75 --> Aucune conversion requise
Tension efficace: 25 Volt --> 25 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Aucune conversion requise
Paramètre de l'appareil: 0.024 --> Aucune conversion requise
Tension entre drain et source: 7.35 Volt --> 7.35 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Évaluer ... ...

I_d = 3.3661289025

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.3661289025 Ampère -->3366.1289025 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

3366.1289025 ≈ 3366.129 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage

Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)

Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)

Gain de courant de court-circuit de BJT

Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)

Courant de drain donné Paramètre de l'appareil

Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)

Courant de base 2 de BJT

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de référence du miroir de courant BJT

Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance

Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur

Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base 1 de BJT

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Courant de base total

Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

Courant de drain donné Paramètre de l'appareil Formule

Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain au-dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec Vgs. La réciproque de la pente de la caractéristique log (Id) par rapport à Vgs est définie comme la pente sous-seuil, S, et est l'une des mesures de performance les plus critiques pour les MOSFET dans les applications logiques.

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