Percorso libero medio elettronico Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)
λ = 1/(Rout*id)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Percorso libero medio elettronico - Electron Mean Free Path che rappresenta la distanza media che un elettrone può percorrere senza disperdersi con impurità, danni o altri ostacoli all'interno del dispositivo a stato solido.
Resistenza di uscita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita si riferisce alla resistenza di un circuito elettronico al flusso di corrente quando un carico è collegato alla sua uscita.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza di uscita: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
λ = 1/(Rout*id) --> 1/(4500*8E-05)
Valutare ... ...
λ = 2.77777777777778
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.77777777777778 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.77777777777778 2.777778 <-- Percorso libero medio elettronico
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto
​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)
Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale
​ Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)
Resistenza di ingresso del Mosfet
​ Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)
Resistenza finita tra Drain e Source
​ Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente
Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale
​ Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)
Percorso libero medio elettronico
​ Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)
Resistenza uscita scarico
​ Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)
Resistenza di ingresso data la transconduttanza
​ Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza
Resistenza di uscita data la transconduttanza
​ Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)
Resistenza di uscita del Mosfet
​ Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore
Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET
​ Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente
Resistenza di ingresso del segnale piccolo
​ Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base
Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET
​ Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare
MOSFET come resistenza lineare
​ Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

Percorso libero medio elettronico Formula

Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)
λ = 1/(Rout*id)

Cos'è un MOSFET e come funziona?

In generale, il MOSFET funziona come un interruttore, il MOSFET controlla il flusso di tensione e corrente tra la sorgente e lo scarico. Il funzionamento del MOSFET dipende dal condensatore MOS, che è la superficie del semiconduttore sotto gli strati di ossido tra il terminale di source e quello di drain.

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