Libre parcours moyen des électrons Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
λ = 1/(Rout*id)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Libre parcours moyen des électrons - Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
λ = 1/(Rout*id) --> 1/(4500*8E-05)
Évaluer ... ...
λ = 2.77777777777778
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.77777777777778 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
2.77777777777778 2.777778 <-- Libre parcours moyen des électrons
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

14 Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel
​ Aller Résistance de sortie = ((Signal d'entrée en mode commun*Transconductance)-Courant total)/(2*Transconductance*Courant total)
Résistance d'entrée du Mosfet
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/(Courant du collecteur*Gain de courant de petit signal)
Résistance finie entre le drain et la source
​ Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
​ Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
Résistance de sortie de vidange
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Modulation de longueur de canal*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la transconductance
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Mobilité des transporteurs*Transconductance)
Résistance d'entrée étant donné la transconductance
​ Aller Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance
Résistance de sortie du Mosfet
​ Aller Résistance de sortie = Tension précoce/Courant du collecteur
Résistance dépendante de la tension dans MOSFET
​ Aller Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange
Résistance d'entrée de petit signal
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de base
Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
​ Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
MOSFET comme résistance linéaire
​ Aller Résistance linéaire = 1/Conductance du canal

Libre parcours moyen des électrons Formule

Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
λ = 1/(Rout*id)

Qu'est-ce qu'un MOSFET et comment ça marche?

En général, le MOSFET fonctionne comme un commutateur, le MOSFET contrôle la tension et le flux de courant entre la source et le drain. Le fonctionnement du MOSFET dépend du condensateur MOS, qui est la surface semi-conductrice sous les couches d'oxyde entre la borne de source et de drain.

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