Eficiencia del emisor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Eficiencia del emisor = Corriente de difusión de electrones/(Corriente de difusión de electrones+Corriente de difusión del agujero)
ηE = InE/(InE+Ih)
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Eficiencia del emisor - La eficiencia del emisor se define como la relación entre la corriente de electrones en el emisor y la suma de la corriente de electrones y huecos que se difunden a través de la unión base-emisor.
Corriente de difusión de electrones - (Medido en Amperio) - La corriente de difusión de electrones es una corriente en un semiconductor causada por la difusión de portadores de carga como los electrones.
Corriente de difusión del agujero - (Medido en Amperio) - La corriente de difusión de agujeros es la corriente que fluye en un semiconductor y es causada por la difusión de portadores de carga como agujeros.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente de difusión de electrones: 25 Miliamperio --> 0.025 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Corriente de difusión del agujero: 26 Miliamperio --> 0.026 Amperio (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ηE = InE/(InE+Ih) --> 0.025/(0.025+0.026)
Evaluar ... ...
ηE = 0.490196078431373
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.490196078431373 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.490196078431373 0.490196 <-- Eficiencia del emisor
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
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Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

13 Parámetros de funcionamiento del transistor Calculadoras

Corriente de drenaje
Vamos Corriente de drenaje = Movilidad de electrones*Capacitancia de óxido de puerta*(Ancho de la unión de la puerta/Longitud de la puerta)*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral)*Voltaje de saturación de la fuente de drenaje
Eficiencia del emisor
Vamos Eficiencia del emisor = Corriente de difusión de electrones/(Corriente de difusión de electrones+Corriente de difusión del agujero)
Corriente base utilizando el factor de amplificación de corriente
Vamos corriente base = Corriente del emisor*(1-Factor de amplificación actual)-Corriente de fuga de la base del colector
Tensión colector-emisor
Vamos Voltaje del emisor del colector = Voltaje de colector común-Colector de corriente*Resistencia del colector
Corriente de fuga de colector a emisor
Vamos Corriente de fuga del emisor del colector = (Factor de transporte básico+1)*Corriente de fuga de la base del colector
Factor de amplificación actual utilizando el factor de transporte base
Vamos Factor de amplificación actual = Factor de transporte básico/(Factor de transporte básico+1)
Corriente de colector utilizando el factor de amplificación de corriente
Vamos Colector de corriente = Factor de amplificación actual*Corriente del emisor
Factor de amplificación actual
Vamos Factor de amplificación actual = Colector de corriente/Corriente del emisor
Corriente de colector utilizando el factor de transporte base
Vamos Colector de corriente = Factor de transporte básico*corriente base
Factor de transporte base
Vamos Factor de transporte básico = Colector de corriente/corriente base
Corriente del emisor
Vamos Corriente del emisor = corriente base+Colector de corriente
Ganancia de corriente del colector común
Vamos Ganancia de corriente del colector común = Factor de transporte básico+1
Resistencia dinámica del emisor
Vamos Resistencia dinámica del emisor = 0.026/Corriente del emisor

Eficiencia del emisor Fórmula

Eficiencia del emisor = Corriente de difusión de electrones/(Corriente de difusión de electrones+Corriente de difusión del agujero)
ηE = InE/(InE+Ih)

¿Qué aumenta la eficiencia de inyección del emisor?

La eficiencia de inyección del emisor del transistor se controla mediante la relación entre la concentración de dopaje del emisor y la concentración de dopaje de la base. A medida que aumenta esta relación, aumenta la eficiencia de la inyección. A altas corrientes, hay una alta concentración de portadores inyectados en la región base, lo que aumenta su conductividad. Debido a esto, la eficiencia del emisor y, por lo tanto, la beta del transistor disminuyen. Sin embargo, este efecto no siempre es malo. Lo utilizamos en el circuito de control automático de ganancia.

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