Efficacité de l'émetteur Calculatrice

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Paramètres de fonctionnement des transistors

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Caractéristiques des semi-conducteurs

Caractéristiques du transporteur de charge

Paramètres électrostatiques

✖Le courant de diffusion d'électrons est un courant dans un semi-conducteur causé par la diffusion de porteurs de charge comme les électrons.ⓘ Courant de diffusion d'électrons [I_nE]			+10% -10%
✖Le courant de diffusion de trou est le courant qui circule dans un semi-conducteur et il est causé par la diffusion de porteurs de charge comme les trous.ⓘ Courant de diffusion de trou [I_h]			+10% -10%

✖L'efficacité de l'émetteur est définie comme le rapport du courant d'électrons dans l'émetteur à la somme des courants d'électrons et de trous diffusant à travers la jonction base-émetteur.ⓘ Efficacité de l'émetteur [η_E]

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Formule

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Efficacité de l'émetteur

Formule

`"η"_{"E"} = "I"_{"nE"}/("I"_{"nE"}+"I"_{"h"})`

Exemple

`"0.490196"="25mA"/("25mA"+"26mA")`

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Efficacité de l'émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Efficacité de l'émetteur = Courant de diffusion d'électrons/(Courant de diffusion d'électrons+Courant de diffusion de trou)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Efficacité de l'émetteur - L'efficacité de l'émetteur est définie comme le rapport du courant d'électrons dans l'émetteur à la somme des courants d'électrons et de trous diffusant à travers la jonction base-émetteur.
Courant de diffusion d'électrons - (Mesuré en Ampère) - Le courant de diffusion d'électrons est un courant dans un semi-conducteur causé par la diffusion de porteurs de charge comme les électrons.
Courant de diffusion de trou - (Mesuré en Ampère) - Le courant de diffusion de trou est le courant qui circule dans un semi-conducteur et il est causé par la diffusion de porteurs de charge comme les trous.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de diffusion d'électrons: 25 Milliampère --> 0.025 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Courant de diffusion de trou: 26 Milliampère --> 0.026 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

η_E = I_nE/(I_nE+I_h) --> 0.025/(0.025+0.026)

Évaluer ... ...

η_E = 0.490196078431373

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.490196078431373 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.490196078431373 ≈ 0.490196 <-- Efficacité de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Paramètres de fonctionnement des transistors Calculatrices

Courant de vidange

Aller Courant de vidange = Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde de grille*(Largeur de jonction de porte/Longueur de porte)*(Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de saturation de la source de drain

Efficacité de l'émetteur

Aller Efficacité de l'émetteur = Courant de diffusion d'électrons/(Courant de diffusion d'électrons+Courant de diffusion de trou)

Courant de base utilisant le facteur d'amplification de courant

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur*(1-Facteur d'amplification actuel)-Courant de fuite de la base du collecteur

Tension collecteur-émetteur

Aller Tension d'émetteur de collecteur = Tension du collecteur commun-Courant de collecteur*Résistance du collecteur

Courant de fuite du collecteur à l'émetteur

Aller Courant de fuite collecteur-émetteur = (Facteur de transport de base+1)*Courant de fuite de la base du collecteur

Facteur d'amplification actuel utilisant le facteur de transport de base

Aller Facteur d'amplification actuel = Facteur de transport de base/(Facteur de transport de base+1)

Courant de collecteur utilisant le facteur d'amplification de courant

Aller Courant de collecteur = Facteur d'amplification actuel*Courant de l'émetteur

Facteur d'amplification actuel

Aller Facteur d'amplification actuel = Courant de collecteur/Courant de l'émetteur

Courant de collecteur utilisant le facteur de transport de base

Aller Courant de collecteur = Facteur de transport de base*Courant de base

Facteur de transport de base

Aller Facteur de transport de base = Courant de collecteur/Courant de base

Courant d'émetteur

Aller Courant de l'émetteur = Courant de base+Courant de collecteur

Gain de courant du collecteur commun

Aller Gain de courant du collecteur commun = Facteur de transport de base+1

Résistance dynamique de l'émetteur

Aller Résistance dynamique de l'émetteur = 0.026/Courant de l'émetteur

Efficacité de l'émetteur Formule

Efficacité de l'émetteur = Courant de diffusion d'électrons/(Courant de diffusion d'électrons+Courant de diffusion de trou)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)

Qu'est-ce qui augmente l'efficacité de l'injection de l'émetteur ?

L'efficacité d'injection de l'émetteur du transistor est contrôlée par le rapport de la concentration de dopage de l'émetteur à la concentration de dopage de la base. Lorsque ce rapport augmente, l'efficacité de l'injection augmente. À des courants élevés, il y a une forte concentration de porteurs injectés dans la région de base, augmentant ainsi sa conductivité. L'efficacité de l'émetteur et donc la bêta du transistor diminuent à cause de cela. Cependant cet effet n'est pas toujours mauvais. Nous l'utilisons dans le circuit de contrôle automatique du gain.

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