Efficienza dell'emettitore calcolatrice

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Parametri operativi del transistor

Caratteristiche dei semiconduttori

Caratteristiche del diodo

Caratteristiche del portatore di carica

Parametri elettrostatici

✖La corrente di diffusione degli elettroni è una corrente in un semiconduttore causata dalla diffusione di portatori di carica come gli elettroni.ⓘ Corrente di diffusione elettronica [I_nE]			+10% -10%
✖Hole Diffusion Current è la corrente che scorre in un semiconduttore ed è causata dalla diffusione di portatori di carica come i buchi.ⓘ Corrente di diffusione del foro [I_h]			+10% -10%

✖L'efficienza dell'emettitore è definita come il rapporto tra la corrente dell'elettrone nell'emettitore e la somma della corrente dell'elettrone e della lacuna che si diffonde attraverso la giunzione base-emettitore.ⓘ Efficienza dell'emettitore [η_E]

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Formula

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Efficienza dell'emettitore

Formula

`"η"_{"E"} = "I"_{"nE"}/("I"_{"nE"}+"I"_{"h"})`

Esempio

`"0.490196"="25mA"/("25mA"+"26mA")`

Calcolatrice

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Efficienza dell'emettitore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Efficienza dell'emettitore = Corrente di diffusione elettronica/(Corrente di diffusione elettronica+Corrente di diffusione del foro)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Efficienza dell'emettitore - L'efficienza dell'emettitore è definita come il rapporto tra la corrente dell'elettrone nell'emettitore e la somma della corrente dell'elettrone e della lacuna che si diffonde attraverso la giunzione base-emettitore.
Corrente di diffusione elettronica - (Misurato in Ampere) - La corrente di diffusione degli elettroni è una corrente in un semiconduttore causata dalla diffusione di portatori di carica come gli elettroni.
Corrente di diffusione del foro - (Misurato in Ampere) - Hole Diffusion Current è la corrente che scorre in un semiconduttore ed è causata dalla diffusione di portatori di carica come i buchi.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente di diffusione elettronica: 25 Millampere --> 0.025 Ampere (Controlla la conversione qui)
Corrente di diffusione del foro: 26 Millampere --> 0.026 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

η_E = I_nE/(I_nE+I_h) --> 0.025/(0.025+0.026)

Valutare ... ...

η_E = 0.490196078431373

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.490196078431373 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.490196078431373 ≈ 0.490196 <-- Efficienza dell'emettitore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Akshada Kulkarni

Istituto nazionale di tecnologia dell'informazione (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni ha creato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Verificato da Team Softusvista

Ufficio Softusvista (Pune), India

Team Softusvista ha verificato questa calcolatrice e altre 1100+ altre calcolatrici!

< 13 Parametri operativi del transistor Calcolatrici

Assorbimento di corrente

Partire Assorbimento di corrente = Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido di gate*(Larghezza giunzione cancello/Lunghezza del cancello)*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Drain Source Tensione di saturazione

Efficienza dell'emettitore

Partire Efficienza dell'emettitore = Corrente di diffusione elettronica/(Corrente di diffusione elettronica+Corrente di diffusione del foro)

Corrente di base utilizzando il fattore di amplificazione corrente

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore*(1-Fattore di amplificazione corrente)-Corrente di dispersione alla base del collettore

Tensione collettore-emettitore

Partire Tensione dell'emettitore del collettore = Tensione collettore comune-Corrente del collettore*Resistenza dei collezionisti

Corrente di dispersione dal collettore all'emettitore

Partire Corrente di dispersione dell'emettitore del collettore = (Fattore di trasporto di base+1)*Corrente di dispersione alla base del collettore

Fattore di amplificazione corrente utilizzando il fattore di trasporto di base

Partire Fattore di amplificazione corrente = Fattore di trasporto di base/(Fattore di trasporto di base+1)

Corrente del collettore utilizzando il fattore di amplificazione corrente

Partire Corrente del collettore = Fattore di amplificazione corrente*Corrente dell'emettitore

Fattore di amplificazione corrente

Partire Fattore di amplificazione corrente = Corrente del collettore/Corrente dell'emettitore

Corrente del collettore utilizzando il fattore di trasporto di base

Partire Corrente del collettore = Fattore di trasporto di base*Corrente di base

Fattore di trasporto di base

Partire Fattore di trasporto di base = Corrente del collettore/Corrente di base

Corrente di emettitore

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente di base+Corrente del collettore

Guadagno di corrente del collettore comune

Partire Guadagno di corrente del collettore comune = Fattore di trasporto di base+1

Resistenza dinamica dell'emettitore

Partire Resistenza dinamica dell'emettitore = 0.026/Corrente dell'emettitore

Efficienza dell'emettitore Formula

Efficienza dell'emettitore = Corrente di diffusione elettronica/(Corrente di diffusione elettronica+Corrente di diffusione del foro)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)

Cosa aumenta l'efficienza di iniezione dell'emettitore?

L'efficienza di iniezione dell'emettitore a transistor è controllata dal rapporto tra la concentrazione di drogaggio dell'emettitore e la concentrazione di drogaggio di base. All'aumentare di questo rapporto, aumenta l'efficienza di iniezione. Ad alte correnti, c'è un'alta concentrazione di portatori iniettati nella regione di base, aumentando così la sua conduttività. L'efficienza dell'emettitore e quindi il beta del transistor diminuisce a causa di ciò. Tuttavia questo effetto non è sempre negativo. Lo utilizziamo nel circuito di controllo automatico del guadagno.

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