Emitter-efficiëntie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Transistor-bedrijfsparameters

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Kenmerken van ladingdragers

✖Elektronendiffusiestroom is een stroom in een halfgeleider die wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers zoals elektronen.ⓘ Elektronendiffusiestroom [I_nE]			+10% -10%
✖Gatendiffusiestroom is de stroom die in een halfgeleider stroomt en wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers zoals gaten.ⓘ Gatenverspreidingsstroom [I_h]			+10% -10%

✖Emitterefficiëntie wordt gedefinieerd als de verhouding van de elektronenstroom in de emitter tot de som van de elektronen- en gatenstroom die over de basis-emitterovergang diffunderen.ⓘ Emitter-efficiëntie [η_E]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Emitter-efficiëntie

Formule

`"η"_{"E"} = "I"_{"nE"}/("I"_{"nE"}+"I"_{"h"})`

Voorbeeld

`"0.490196"="25mA"/("25mA"+"26mA")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Transistor-bedrijfsparameters Formules Pdf PDF Image

Emitter-efficiëntie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Efficiëntie van de zender = Elektronendiffusiestroom/(Elektronendiffusiestroom+Gatenverspreidingsstroom)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Efficiëntie van de zender - Emitterefficiëntie wordt gedefinieerd als de verhouding van de elektronenstroom in de emitter tot de som van de elektronen- en gatenstroom die over de basis-emitterovergang diffunderen.
Elektronendiffusiestroom - (Gemeten in Ampère) - Elektronendiffusiestroom is een stroom in een halfgeleider die wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers zoals elektronen.
Gatenverspreidingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Gatendiffusiestroom is de stroom die in een halfgeleider stroomt en wordt veroorzaakt door de diffusie van ladingsdragers zoals gaten.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronendiffusiestroom: 25 milliampère --> 0.025 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Gatenverspreidingsstroom: 26 milliampère --> 0.026 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

η_E = I_nE/(I_nE+I_h) --> 0.025/(0.025+0.026)

Evalueren ... ...

η_E = 0.490196078431373

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.490196078431373 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.490196078431373 ≈ 0.490196 <-- Efficiëntie van de zender

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Transistor-bedrijfsparameters » Emitter-efficiëntie

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Transistor-bedrijfsparameters Rekenmachines

Afvoerstroom

Gaan Afvoerstroom = Mobiliteit van Electron*Gate Oxide-capaciteit*(Poortkruising Breedte/Poort lengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Verzadigingsspanning afvoerbron

Emitter-efficiëntie

Gaan Efficiëntie van de zender = Elektronendiffusiestroom/(Elektronendiffusiestroom+Gatenverspreidingsstroom)

Collector-emitter spanning

Gaan Collector-emitterspanning = Gemeenschappelijke collectorspanning-Collector Stroom*Collector weerstand

Basisstroom met behulp van de huidige versterkingsfactor

Gaan Basisstroom = Zender Stroom*(1-Huidige versterkingsfactor)-Lekstroom collectorbasis

Lekstroom van collector naar emitter

Gaan Collector Emitter Lekstroom = (Basistransportfactor+1)*Lekstroom collectorbasis

Huidige versterkingsfactor met behulp van basistransportfactor

Gaan Huidige versterkingsfactor = Basistransportfactor/(Basistransportfactor+1)

Collectorstroom met behulp van de huidige versterkingsfactor

Gaan Collector Stroom = Huidige versterkingsfactor*Zender Stroom

Huidige versterkingsfactor

Gaan Huidige versterkingsfactor = Collector Stroom/Zender Stroom

Collectorstroom met behulp van basistransportfactor

Gaan Collector Stroom = Basistransportfactor*Basisstroom

Basis transportfactor

Gaan Basistransportfactor = Collector Stroom/Basisstroom

Zenderstroom

Gaan Zender Stroom = Basisstroom+Collector Stroom

Stroomversterking gemeenschappelijke collector

Gaan Stroomversterking gemeenschappelijke collector = Basistransportfactor+1

Dynamische zenderweerstand

Gaan Dynamische zenderweerstand = 0.026/Zender Stroom

Emitter-efficiëntie Formule

Efficiëntie van de zender = Elektronendiffusiestroom/(Elektronendiffusiestroom+Gatenverspreidingsstroom)
η_E = I_nE/(I_nE+I_h)

Wat verhoogt de efficiëntie van de emitterinjectie?

Het injectierendement van de transistoremitter wordt geregeld door de verhouding van de emitterdoteringsconcentratie tot de basisdoteringsconcentratie. Naarmate deze verhouding toeneemt, neemt de injectie-efficiëntie toe. Bij hoge stromen is er een hoge concentratie van geïnjecteerde dragers in het basisgebied, waardoor de geleidbaarheid ervan toeneemt. Het emitterrendement en dus de bèta van de transistor neemt hierdoor af. Dit effect is echter niet altijd slecht. We maken er gebruik van in een automatisch versterkingsregelcircuit.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!