Conductancia en resistencia lineal de MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal
G = 1/Rds
Esta fórmula usa 2 Variables
Variables utilizadas
Conductancia del canal - (Medido en Siemens) - La conductancia del canal se define típicamente como la relación entre la corriente que pasa a través del canal y el voltaje que lo atraviesa.
Resistencia lineal - (Medido en Ohm) - Resistencia lineal, la cantidad de oposición o resistencia es directamente proporcional a la cantidad de corriente que fluye a través de ella, como lo describe la Ley de Ohm.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Resistencia lineal: 0.166 kilohmios --> 166 Ohm (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
G = 1/Rds --> 1/166
Evaluar ... ...
G = 0.00602409638554217
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 milisiemens (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
6.02409638554217 6.024096 milisiemens <-- Conductancia del canal
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Prahalad Singh
Escuela de Ingeniería y Centro de Investigación de Jaipur (JECRC), Jaipur
¡Prahalad Singh ha verificado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

14 Resistencia Calculadoras

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto
​ Vamos Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)
Resistencia de salida del amplificador diferencial
​ Vamos Resistencia de salida = ((Señal de entrada de modo común*Transconductancia)-Corriente Total)/(2*Transconductancia*Corriente Total)
Resistencia de entrada de Mosfet
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/(Colector actual*Ganancia de corriente de señal pequeña)
Resistencia finita entre drenaje y fuente
​ Vamos Resistencia finita = modulus(Voltaje CC positivo)/Corriente de drenaje
Trayectoria libre media de electrones
​ Vamos Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)
Resistencia de salida de drenaje
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)
Resistencia de entrada dada la transconductancia
​ Vamos Resistencia de entrada = Ganancia de corriente de señal pequeña/Transconductancia
Resistencia de salida dada la modulación de longitud del canal
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Modulación de longitud de canal*Corriente de drenaje)
Resistencia de salida dada la transconductancia
​ Vamos Resistencia de salida = 1/(Movilidad del transportista*Transconductancia)
Resistencia dependiente del voltaje en MOSFET
​ Vamos Resistencia finita = Voltaje efectivo/Corriente de drenaje
Resistencia de entrada de señal pequeña
​ Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/Corriente base
Resistencia de salida de Mosfet
​ Vamos Resistencia de salida = Voltaje temprano/Colector actual
Conductancia en resistencia lineal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal
MOSFET como resistencia lineal
​ Vamos Resistencia lineal = 1/Conductancia del canal

15 Características del MOSFET Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET
​ Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)
Frecuencia de transición de MOSFET
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)
Ganancia de voltaje usando señal pequeña
​ Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)
Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje
​ Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo
Voltaje de saturación de MOSFET
​ Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
Efecto del cuerpo sobre la transconductancia
​ Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia
Voltaje de polarización de MOSFET
​ Vamos Voltaje de polarización instantáneo total = Voltaje de polarización CC+Voltaje CC
Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes
​ Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico
Transconductancia en MOSFET
​ Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha
Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal
​ Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida
Voltaje umbral de MOSFET
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Conductancia en resistencia lineal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET Fórmula

Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal
G = 1/Rds

¿MOSFET es un dispositivo simétrico?

MOSFET es un dispositivo simétrico, por lo tanto, la respuesta es sí. sin embargo, si en el diseño de su circuito ha atado su cuerpo a una de las terminales, querrá que esa terminal sea la fuente.

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