Calculadora Transconductancia en MOSFET

✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.ⓘ Corriente de drenaje [i_d]			+10% -10%
✖El voltaje de sobremarcha es un término utilizado en electrónica y se refiere al nivel de voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.ⓘ Voltaje de sobremarcha [V_ov]			+10% -10%

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia en MOSFET [g_m]

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Fórmula

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Transconductancia en MOSFET

Fórmula

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Ejemplo

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

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Transconductancia en MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha
g_m = (2*i_d)/V_ov
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Voltaje de sobremarcha - (Medido en Voltio) - El voltaje de sobremarcha es un término utilizado en electrónica y se refiere al nivel de voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de drenaje: 0.08 Miliamperio --> 8E-05 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de sobremarcha: 0.32 Voltio --> 0.32 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Evaluar ... ...

g_m = 0.0005

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0005 Siemens -->0.5 milisiemens (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.5 milisiemens <-- Transconductancia

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Transconductancia Calculadoras

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral))

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia dada corriente de drenaje

Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

Vamos Corriente de drenaje = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Parámetro de transconductancia del proceso)

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha)

Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha

Transconductancia MOSFET dado el parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Transconductancia de puerta trasera

Vamos Transconductancia de puerta trasera = Transconductancia*Eficiencia de voltaje

Transconductancia MOSFET

Vamos Transconductancia = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente

Transconductancia MOSFET dado voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*Voltaje de sobremarcha

Parámetro de transconductancia de proceso de MOSFET

Vamos Parámetro de transconductancia = Transconductancia/Voltaje de sobremarcha

Drenar corriente usando transconductancia

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

< 15 Características del MOSFET Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Ganancia de voltaje dada la resistencia de carga de MOSFET

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*(1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia de salida))/(1+Transconductancia*Resistencia de la fuente)

Frecuencia de transición de MOSFET

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)

Ganancia máxima de voltaje en el punto de polarización

Vamos Ganancia máxima de voltaje = 2*(Voltaje de suministro-Voltaje efectivo)/(Voltaje efectivo)

Ganancia de voltaje usando señal pequeña

Vamos Ganancia de voltaje = Transconductancia*1/(1/Resistencia de carga+1/Resistencia finita)

Ganancia de voltaje dado voltaje de drenaje

Vamos Ganancia de voltaje = (Corriente de drenaje*Resistencia de carga*2)/Voltaje efectivo

Voltaje de saturación de MOSFET

Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Voltaje de polarización de MOSFET

Vamos Voltaje de polarización instantáneo total = Voltaje de polarización CC+Voltaje CC

Ganancia máxima de voltaje dados todos los voltajes

Vamos Ganancia máxima de voltaje = (Voltaje de suministro-0.3)/Voltaje térmico

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

Factor de amplificación en el modelo MOSFET de pequeña señal

Vamos Factor de amplificación = Transconductancia*Resistencia de salida

Voltaje umbral de MOSFET

Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

Transconductancia en MOSFET Fórmula

Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha
g_m = (2*i_d)/V_ov

¿Qué es el voltaje de polarización?

El voltaje de polarización es la cantidad de voltaje que necesita un dispositivo electrónico para encenderse y funcionar. El voltaje de polarización debe elegirse cuidadosamente para operar el dispositivo, lo que significa que la potencia para operar el dispositivo debe estar en un nivel específico. Con muy poco voltaje de polarización, la energía que se envía al dispositivo puede ser insuficiente para encenderlo y, por lo tanto, el dispositivo no se encenderá. Con demasiado voltaje de polarización, el dispositivo puede recibir demasiada corriente y puede destruirse. Consulte con el fabricante del dispositivo en uso para comprobar cuánto voltaje de polarización debe recibir.

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