Calculadora Densidad de corriente total

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✖La densidad de corriente de saturación es el flujo de corriente por unidad de área de la unión pn cuando se aplican unos pocos voltios de polarización inversa a la unión.ⓘ Densidad de corriente de saturación [J₀]			+10% -10%
✖El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.ⓘ Voltaje a través de la unión PN [V₀]			+10% -10%
✖La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.ⓘ Temperatura absoluta [T]			+10% -10%

✖La densidad de corriente total se define como la corriente que fluye por unidad de superficie del conductor.ⓘ Densidad de corriente total [J]

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Fórmula

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Densidad de corriente total

Fórmula

`"J" = "J"_{"0"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"0"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Ejemplo

`"7.914809C/m²"="1.6E^-7A/m²"*(exp(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"393K"))-1)`

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Densidad de corriente total Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de corriente total = Densidad de corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje a través de la unión PN)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)
J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

exp - En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente., exp(Number)

Variables utilizadas

Densidad de corriente total - (Medido en culombio por metro cuadrado) - La densidad de corriente total se define como la corriente que fluye por unidad de superficie del conductor.
Densidad de corriente de saturación - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente de saturación es el flujo de corriente por unidad de área de la unión pn cuando se aplican unos pocos voltios de polarización inversa a la unión.
Voltaje a través de la unión PN - (Medido en Voltio) - El voltaje a través de la unión PN es el potencial incorporado a través de la unión pn de un semiconductor sin ninguna polarización externa.
Temperatura absoluta - (Medido en Kelvin) - La temperatura absoluta representa la temperatura del sistema.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Densidad de corriente de saturación: 1.6E-07 Amperio por metro cuadrado --> 1.6E-07 Amperio por metro cuadrado No se requiere conversión
Voltaje a través de la unión PN: 0.6 Voltio --> 0.6 Voltio No se requiere conversión
Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1) --> 1.6E-07*(exp(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*393))-1)

Evaluar ... ...

J = 7.91480868903785

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.91480868903785 culombio por metro cuadrado --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

7.91480868903785 ≈ 7.914809 culombio por metro cuadrado <-- Densidad de corriente total

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka G Chalikar

El Instituto Nacional de Ingeniería (nie), Mysuru

¡Priyanka G Chalikar ha creado esta calculadora y 10+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 13 Dispositivos fotónicos Calculadoras

Densidad de corriente de saturación

Vamos Densidad de corriente de saturación = [Charge-e]*((Coeficiente de difusión del agujero)/Longitud de difusión del agujero*Concentración de agujeros en n-región+(Coeficiente de difusión de electrones)/Longitud de difusión del electrón*Concentración de electrones en la región p)

Emitancia radiante espectral

Vamos Emitancia radiante espectral = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Longitud de onda de la luz visible^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Longitud de onda de la luz visible*[BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)

Contacto Diferencia potencial

Vamos Voltaje a través de la unión PN = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentración de aceptor*Concentración de donantes)/(Concentración de portador intrínseco)^2)

Concentración de protones en condiciones de desequilibrio

Vamos Concentración de protones = Concentración intrínseca de electrones*exp((Nivel de energía intrínseca del semiconductor-Nivel cuasi Fermi de electrones)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de energía dados los coeficientes de Einstein

Vamos Densidad de energia = (8*[hP]*Frecuencia de radiación^3)/[c]^3*(1/(exp((Constante de Planck*Frecuencia de radiación)/([BoltZ]*Temperatura))-1))

Densidad de corriente total

Vamos Densidad de corriente total = Densidad de corriente de saturación*(exp(([Charge-e]*Voltaje a través de la unión PN)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)

Cambio de fase neto

Vamos Cambio de fase neto = pi/Longitud de onda de la luz*(Índice de refracción)^3*Longitud de la fibra*Tensión de alimentación

Población relativa

Vamos Población relativa = exp(-([hP]*Frecuencia relativa)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Potencia óptica radiada

Vamos Potencia óptica radiada = Emisividad*[Stefan-BoltZ]*Área de origen*Temperatura^4

Número de modo

Vamos Número de modo = (2*Longitud de la cavidad*Índice de refracción)/Longitud de onda del fotón

Longitud de onda de radiación en vacío

Vamos Longitud de onda de onda = Ángulo del ápice*(180/pi)*2*Orificio único

Longitud de onda de la luz de salida

Vamos Longitud de onda de la luz = Índice de refracción*Longitud de onda del fotón

Longitud de la cavidad

Vamos Longitud de la cavidad = (Longitud de onda del fotón*Número de modo)/2

Densidad de corriente total Fórmula

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