Densité de courant totale Calculatrice

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✖La densité de courant de saturation est le flux de courant par unité de surface de la jonction pn lorsque quelques volts de polarisation inverse sont appliqués à la jonction.ⓘ Densité du courant de saturation [J₀]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.ⓘ Tension aux bornes de la jonction PN [V₀]			+10% -10%
✖La température absolue représente la température du système.ⓘ Température absolue [T]			+10% -10%

✖La densité totale de courant est définie comme le courant circulant par unité de surface du conducteur.ⓘ Densité de courant totale [J]

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Formule

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Densité de courant totale

Formule

`"J" = "J"_{"0"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"0"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Exemple

`"7.914809C/m²"="1.6E^-7A/m²"*(exp(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"393K"))-1)`

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Densité de courant totale Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Densité de courant totale = Densité du courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension aux bornes de la jonction PN)/([BoltZ]*Température absolue))-1)
J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23

Fonctions utilisées

exp - Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante., exp(Number)

Variables utilisées

Densité de courant totale - (Mesuré en Coulomb au mètre carré) - La densité totale de courant est définie comme le courant circulant par unité de surface du conducteur.
Densité du courant de saturation - (Mesuré en Ampère par mètre carré) - La densité de courant de saturation est le flux de courant par unité de surface de la jonction pn lorsque quelques volts de polarisation inverse sont appliqués à la jonction.
Tension aux bornes de la jonction PN - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de la jonction PN est le potentiel intégré aux bornes de la jonction PN d'un semi-conducteur sans aucune polarisation externe.
Température absolue - (Mesuré en Kelvin) - La température absolue représente la température du système.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Densité du courant de saturation: 1.6E-07 Ampère par mètre carré --> 1.6E-07 Ampère par mètre carré Aucune conversion requise
Tension aux bornes de la jonction PN: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Aucune conversion requise
Température absolue: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1) --> 1.6E-07*(exp(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*393))-1)

Évaluer ... ...

J = 7.91480868903785

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.91480868903785 Coulomb au mètre carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

7.91480868903785 ≈ 7.914809 Coulomb au mètre carré <-- Densité de courant totale

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka G. Chalikar

L'Institut National d'Ingénierie (NIE), Mysore

Priyanka G. Chalikar a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 13 Appareils photoniques Calculatrices

Densité du courant de saturation

Aller Densité du courant de saturation = [Charge-e]*((Coefficient de diffusion du trou)/Longueur de diffusion du trou*Concentration de trous dans la région n+(Coefficient de diffusion électronique)/Longueur de diffusion de l'électron*Concentration d'électrons dans la région p)

Emittance radiante spectrale

Aller Emittance radiante spectrale = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Longueur d'onde de la lumière visible^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Longueur d'onde de la lumière visible*[BoltZ]*Température absolue))-1)

Différence de potentiel de contact

Aller Tension aux bornes de la jonction PN = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration intrinsèque de porteurs)^2)

Concentration de protons dans des conditions déséquilibrées

Aller Concentration de protons = Concentration électronique intrinsèque*exp((Niveau d'énergie intrinsèque du semi-conducteur-Niveau d'électrons quasi-fermi)/([BoltZ]*Température absolue))

Densité énergétique compte tenu des co-efficacités d'Einstein

Aller Densité d'énergie = (8*[hP]*Fréquence du rayonnement^3)/[c]^3*(1/(exp((Constante de Planck*Fréquence du rayonnement)/([BoltZ]*Température))-1))

Densité de courant totale

Aller Densité de courant totale = Densité du courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension aux bornes de la jonction PN)/([BoltZ]*Température absolue))-1)

Déphasage net

Aller Déphasage net = pi/Longueur d'onde de la lumière*(Indice de réfraction)^3*Longueur de fibre*Tension d'alimentation

Population relative

Aller Population relative = exp(-([hP]*Fréquence relative)/([BoltZ]*Température absolue))

Puissance optique rayonnée

Aller Puissance optique rayonnée = Émissivité*[Stefan-BoltZ]*Zone d'origine*Température^4

Numéro de mode

Aller Numéro de mode = (2*Longueur de la cavité*Indice de réfraction)/Longueur d'onde des photons

Longueur d'onde de rayonnement dans le vide

Aller Longueur d'onde = Angle au sommet*(180/pi)*2*Sténopé unique

Longueur d'onde de la lumière de sortie

Aller Longueur d'onde de la lumière = Indice de réfraction*Longueur d'onde des photons

Longueur de la cavité

Aller Longueur de la cavité = (Longueur d'onde des photons*Numéro de mode)/2

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