Densità di corrente totale calcolatrice

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✖La densità di corrente di saturazione è il flusso di corrente per unità di area della giunzione pn quando alla giunzione vengono applicati pochi volt di polarizzazione inversa.ⓘ Densità di corrente di saturazione [J₀]			+10% -10%
✖La tensione attraverso la giunzione PN è il potenziale integrato attraverso la giunzione pn di un semiconduttore senza alcuna polarizzazione esterna.ⓘ Tensione attraverso la giunzione PN [V₀]			+10% -10%
✖La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.ⓘ Temperatura assoluta [T]			+10% -10%

✖La densità di corrente totale è definita come la corrente che scorre per unità di superficie del conduttore.ⓘ Densità di corrente totale [J]

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Formula

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Densità di corrente totale

Formula

`"J" = "J"_{"0"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"0"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Esempio

`"7.914809C/m²"="1.6E^-7A/m²"*(exp(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"393K"))-1)`

Calcolatrice

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Densità di corrente totale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità di corrente totale = Densità di corrente di saturazione*(exp(([Charge-e]*Tensione attraverso la giunzione PN)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))-1)
J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1)
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
[BoltZ] - Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23

Funzioni utilizzate

exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)

Variabili utilizzate

Densità di corrente totale - (Misurato in Coulomb per metro quadrato) - La densità di corrente totale è definita come la corrente che scorre per unità di superficie del conduttore.
Densità di corrente di saturazione - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La densità di corrente di saturazione è il flusso di corrente per unità di area della giunzione pn quando alla giunzione vengono applicati pochi volt di polarizzazione inversa.
Tensione attraverso la giunzione PN - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso la giunzione PN è il potenziale integrato attraverso la giunzione pn di un semiconduttore senza alcuna polarizzazione esterna.
Temperatura assoluta - (Misurato in Kelvin) - La temperatura assoluta rappresenta la temperatura del sistema.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Densità di corrente di saturazione: 1.6E-07 Ampere per metro quadrato --> 1.6E-07 Ampere per metro quadrato Nessuna conversione richiesta
Tensione attraverso la giunzione PN: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Nessuna conversione richiesta
Temperatura assoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1) --> 1.6E-07*(exp(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*393))-1)

Valutare ... ...

J = 7.91480868903785

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.91480868903785 Coulomb per metro quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

7.91480868903785 ≈ 7.914809 Coulomb per metro quadrato <-- Densità di corrente totale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Priyanka G. Chalikar

L'Istituto Nazionale di Ingegneria (NIE), Mysuru

Priyanka G. Chalikar ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 13 Dispositivi fotonici Calcolatrici

Densità di corrente di saturazione

Partire Densità di corrente di saturazione = [Charge-e]*((Coefficiente di diffusione del foro)/Lunghezza di diffusione del foro*Concentrazione dei fori nella n-regione+(Coefficiente di diffusione degli elettroni)/Lunghezza di diffusione dell'elettrone*Concentrazione di elettroni nella regione p)

Emittanza radiante spettrale

Partire Emittanza radiante spettrale = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Lunghezza d'onda della luce visibile^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Lunghezza d'onda della luce visibile*[BoltZ]*Temperatura assoluta))-1)

Differenza potenziale di contatto

Partire Tensione attraverso la giunzione PN = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione intrinseca del portatore)^2)

Concentrazione di protoni in condizioni sbilanciate

Partire Concentrazione di protoni = Concentrazione elettronica intrinseca*exp((Livello energetico intrinseco del semiconduttore-Livello di elettroni quasi Fermi)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Densità di energia dati i coefficienti di Einstein

Partire Densita 'energia = (8*[hP]*Frequenza delle radiazioni^3)/[c]^3*(1/(exp((Costante di Planck*Frequenza delle radiazioni)/([BoltZ]*Temperatura))-1))

Densità di corrente totale

Partire Densità di corrente totale = Densità di corrente di saturazione*(exp(([Charge-e]*Tensione attraverso la giunzione PN)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))-1)

Sfasamento netto

Partire Sfasamento netto = pi/Lunghezza d'onda della luce*(Indice di rifrazione)^3*Lunghezza della fibra*Tensione di alimentazione

Popolazione relativa

Partire Popolazione relativa = exp(-([hP]*Frequenza relativa)/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Potenza ottica irradiata

Partire Potenza ottica irradiata = Emissività*[Stefan-BoltZ]*Area di origine*Temperatura^4

Numero della modalità

Partire Numero della modalità = (2*Lunghezza della cavità*Indice di rifrazione)/Lunghezza d'onda del fotone

Lunghezza d'onda della radiazione nel vuoto

Partire Lunghezza d'onda dell'onda = Angolo dell'apice*(180/pi)*2*Foro stenopeico singolo

Lunghezza d'onda della luce in uscita

Partire Lunghezza d'onda della luce = Indice di rifrazione*Lunghezza d'onda del fotone

Lunghezza della cavità

Partire Lunghezza della cavità = (Lunghezza d'onda del fotone*Numero della modalità)/2

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