Densidade Total de Corrente Calculadora

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✖A densidade da corrente de saturação é o fluxo de corrente por unidade de área da junção pn quando alguns volts de polarização reversa são aplicados à junção.ⓘ Densidade atual de saturação [J₀]			+10% -10%
✖A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.ⓘ Tensão na junção PN [V₀]			+10% -10%
✖A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.ⓘ Temperatura absoluta [T]			+10% -10%

✖A densidade total de corrente é definida como a corrente que flui por unidade de área de superfície do condutor.ⓘ Densidade Total de Corrente [J]

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Fórmula

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Densidade Total de Corrente

Fórmula

`"J" = "J"_{"0"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"0"})/("[BoltZ]"*"T"))-1)`

Exemplo

`"7.914809C/m²"="1.6E^-7A/m²"*(exp(("[Charge-e]"*"0.6V")/("[BoltZ]"*"393K"))-1)`

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Densidade Total de Corrente Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade Total de Corrente = Densidade atual de saturação*(exp(([Charge-e]*Tensão na junção PN)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)
J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 4 Variáveis

Constantes Usadas

[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23

Funções usadas

exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança unitária na variável independente., exp(Number)

Variáveis Usadas

Densidade Total de Corrente - (Medido em Coulomb por metro quadrado) - A densidade total de corrente é definida como a corrente que flui por unidade de área de superfície do condutor.
Densidade atual de saturação - (Medido em Ampere por Metro Quadrado) - A densidade da corrente de saturação é o fluxo de corrente por unidade de área da junção pn quando alguns volts de polarização reversa são aplicados à junção.
Tensão na junção PN - (Medido em Volt) - A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.
Temperatura absoluta - (Medido em Kelvin) - A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Densidade atual de saturação: 1.6E-07 Ampere por Metro Quadrado --> 1.6E-07 Ampere por Metro Quadrado Nenhuma conversão necessária
Tensão na junção PN: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Nenhuma conversão necessária
Temperatura absoluta: 393 Kelvin --> 393 Kelvin Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1) --> 1.6E-07*(exp(([Charge-e]*0.6)/([BoltZ]*393))-1)

Avaliando ... ...

J = 7.91480868903785

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7.91480868903785 Coulomb por metro quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

7.91480868903785 ≈ 7.914809 Coulomb por metro quadrado <-- Densidade Total de Corrente

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Priyanka G. Chalikar

O Instituto Nacional de Engenharia (NÃO), Mysore

Priyanka G. Chalikar criou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 13 Dispositivos fotônicos Calculadoras

Densidade atual de saturação

Vai Densidade atual de saturação = [Charge-e]*((Coeficiente de difusão do furo)/Comprimento de difusão do furo*Concentração de furos na região n+(Coeficiente de difusão eletrônica)/Comprimento de difusão do elétron*Concentração de elétrons na região p)

Emitância Radiante Espectral

Vai Emitância Radiante Espectral = (2*pi*[hP]*[c]^3)/Comprimento de onda da luz visível^5*1/(exp(([hP]*[c])/(Comprimento de onda da luz visível*[BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)

Diferença potencial de contato

Vai Tensão na junção PN = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Portadores)^2)

Densidade de Energia dados Coeficientes de Einstein

Vai Densidade de Energia = (8*[hP]*Frequência de radiação^3)/[c]^3*(1/(exp((Constante de Planck*Frequência de radiação)/([BoltZ]*Temperatura))-1))

Concentração de prótons sob condição desequilibrada

Vai Concentração de prótons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de energia intrínseca do semicondutor-Nível de elétrons quase Fermi)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidade Total de Corrente

Vai Densidade Total de Corrente = Densidade atual de saturação*(exp(([Charge-e]*Tensão na junção PN)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)

Mudança de fase líquida

Vai Mudança de fase líquida = pi/Comprimento de onda da luz*(Índice de refração)^3*Comprimento da fibra*Tensão de alimentação

População Relativa

Vai População Relativa = exp(-([hP]*Frequência relativa)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Potência óptica irradiada

Vai Potência óptica irradiada = Emissividade*[Stefan-BoltZ]*Área de Fonte*Temperatura^4

Número do modo

Vai Número do modo = (2*Comprimento da Cavidade*Índice de refração)/Comprimento de onda do fóton

Comprimento de onda de radiação em vácuo

Vai Comprimento de onda da onda = Ângulo do ápice*(180/pi)*2*Furo único

Comprimento de onda da luz de saída

Vai Comprimento de onda da luz = Índice de refração*Comprimento de onda do fóton

Comprimento da Cavidade

Vai Comprimento da Cavidade = (Comprimento de onda do fóton*Número do modo)/2

Densidade Total de Corrente Fórmula

Densidade Total de Corrente = Densidade atual de saturação*(exp(([Charge-e]*Tensão na junção PN)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))-1)
J = J₀*(exp(([Charge-e]*V₀)/([BoltZ]*T))-1)

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