Voltaje de sobremarcha Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia
Vov = (2*id)/gm
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Voltaje de sobremarcha - (Medido en Voltio) - El voltaje de sobremarcha es un término utilizado en electrónica y se refiere al nivel de voltaje aplicado a un dispositivo o componente que excede su voltaje de funcionamiento normal.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye entre los terminales de drenaje y fuente de un transistor de efecto de campo (FET), que es un tipo de transistor comúnmente utilizado en circuitos electrónicos.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente de drenaje: 0.08 Miliamperio --> 8E-05 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vov = (2*id)/gm --> (2*8E-05)/0.0005
Evaluar ... ...
Vov = 0.32
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.32 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.32 Voltio <-- Voltaje de sobremarcha
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

20 Voltaje Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
Voltaje de salida de puerta común
​ Vamos Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de entrada de fuente
​ Vamos Voltaje de entrada de fuente = Voltaje de entrada*(Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))
Voltaje de entrada de puerta a fuente
​ Vamos Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Corriente de entrada/(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET
​ Vamos Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de sobremarcha cuando MOSFET actúa como amplificador con resistencia de carga
​ Vamos Transconductancia = Corriente Total/(Señal de entrada de modo común-(2*Corriente Total*Resistencia de salida))
Señal de voltaje incremental del amplificador diferencial
​ Vamos Señal de entrada de modo común = (Corriente Total/Transconductancia)+(2*Corriente Total*Resistencia de salida)
Voltaje en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje en el drenaje Q2 en MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de saturación de MOSFET
​ Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
Voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+1.4*Voltaje efectivo
Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Voltaje umbral de MOSFET
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Voltaje de sobremarcha Fórmula

Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia
Vov = (2*id)/gm

¿Cuál es el uso de la transconductancia en MOSFET?

La transconductancia es una expresión del rendimiento de un transistor bipolar o transistor de efecto de campo (FET). En general, cuanto mayor es la cifra de transconductancia de un dispositivo, mayor es la ganancia (amplificación) que es capaz de entregar, cuando todos los demás factores se mantienen constantes.

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