Voltaje de entrada de puerta a fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Voltaje crítico - (Medido en Voltio) - El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Resistencia del amplificador de entrada - (Medido en Ohm) - La resistencia del amplificador de entrada es la resistencia que se opone al flujo de corriente cuando ingresa al transistor.
Resistencia de fuente equivalente - (Medido en Ohm) - La resistencia equivalente de la fuente es una medida de la oposición total al flujo de corriente en un circuito eléctrico, teniendo en cuenta la resistencia de la fuente y cualquier componente del circuito paralelo.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es el voltaje detectado en la entrada del transistor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Resistencia del amplificador de entrada: 1.4 kilohmios --> 1400 Ohm (Verifique la conversión ​aquí)
Resistencia de fuente equivalente: 10.2 Ohm --> 10.2 Ohm No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 9.4 Voltio --> 9.4 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin --> (1400/(1400+10.2))*9.4
Evaluar ... ...
Vc = 9.33200964402212
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
9.33200964402212 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
9.33200964402212 9.33201 Voltio <-- Voltaje crítico
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
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20 Voltaje Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)
Voltaje de salida de puerta común
​ Vamos Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+sqrt((2*Corriente de polarización de CC)/(Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto))
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))
Voltaje de entrada de fuente
​ Vamos Voltaje de entrada de fuente = Voltaje de entrada*(Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))
Voltaje de entrada de puerta a fuente
​ Vamos Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada
Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Corriente de entrada/(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET
​ Vamos Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET dada la señal de modo común
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida/((1/Transconductancia)+2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de sobremarcha cuando MOSFET actúa como amplificador con resistencia de carga
​ Vamos Transconductancia = Corriente Total/(Señal de entrada de modo común-(2*Corriente Total*Resistencia de salida))
Señal de voltaje incremental del amplificador diferencial
​ Vamos Señal de entrada de modo común = (Corriente Total/Transconductancia)+(2*Corriente Total*Resistencia de salida)
Voltaje en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje en el drenaje Q2 en MOSFET
​ Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común
Voltaje de saturación de MOSFET
​ Vamos Voltaje de saturación de fuente y drenaje = Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral
Voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje de sobremarcha = (2*Corriente de drenaje)/Transconductancia
Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET
​ Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)
Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha
​ Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+1.4*Voltaje efectivo
Voltaje de umbral cuando MOSFET actúa como amplificador
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo
Voltaje umbral de MOSFET
​ Vamos Voltaje de umbral = Voltaje puerta-fuente-Voltaje efectivo

Voltaje de entrada de puerta a fuente Fórmula

Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
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