Calculadora Voltaje de salida de puerta común

✖La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.ⓘ Transconductancia [g_m]			+10% -10%
✖El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.ⓘ Voltaje crítico [V_c]			+10% -10%
✖La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.ⓘ Resistencia de carga [R_L]			+10% -10%
✖La resistencia de puerta es la resistencia que se produce cuando se aplica un voltaje a través de una puerta y fuente MOSFET. Es causado por la capa aislante que separa los terminales de puerta y fuente.ⓘ Resistencia de la puerta [R_gate]			+10% -10%

✖El voltaje de salida es la diferencia de potencial eléctrico que una fuente de alimentación entrega a una carga y juega un papel fundamental en la determinación del rendimiento y la confiabilidad de los sistemas electrónicos.ⓘ Voltaje de salida de puerta común [V_out]

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Fórmula

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Voltaje de salida de puerta común

Fórmula

`"V"_{"out"} = -("g"_{"m"}*"V"_{"c"})*(("R"_{"L"}*"R"_{"gate"})/("R"_{"gate"}+"R"_{"L"}))`

Ejemplo

`"-0.0022V"=-("0.5mS"*"0.284V")*(("0.28kΩ"*"16.4Ω")/("16.4Ω"+"0.28kΩ"))`

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Voltaje de salida de puerta común Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))
V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L))
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Tensión de salida - (Medido en Voltio) - El voltaje de salida es la diferencia de potencial eléctrico que una fuente de alimentación entrega a una carga y juega un papel fundamental en la determinación del rendimiento y la confiabilidad de los sistemas electrónicos.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia se define como la relación entre el cambio en la corriente de salida y el cambio en el voltaje de entrada, con el voltaje de puerta-fuente constante.
Voltaje crítico - (Medido en Voltio) - El voltaje crítico es la fase mínima del voltaje neutro que brilla y aparece a lo largo de todo el conductor de línea.
Resistencia de carga - (Medido en Ohm) - La resistencia de carga es la resistencia externa conectada entre el terminal de drenaje del MOSFET y el voltaje de la fuente de alimentación.
Resistencia de la puerta - (Medido en Ohm) - La resistencia de puerta es la resistencia que se produce cuando se aplica un voltaje a través de una puerta y fuente MOSFET. Es causado por la capa aislante que separa los terminales de puerta y fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 0.5 milisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Voltaje crítico: 0.284 Voltio --> 0.284 Voltio No se requiere conversión
Resistencia de carga: 0.28 kilohmios --> 280 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Resistencia de la puerta: 16.4 Ohm --> 16.4 Ohm No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_out = -(g_m*V_c)*((R_L*R_gate)/(R_gate+R_L)) --> -(0.0005*0.284)*((280*16.4)/(16.4+280))

Evaluar ... ...

V_out = -0.00219994601889339

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

-0.00219994601889339 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

-0.00219994601889339 ≈ -0.0022 Voltio <-- Tensión de salida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

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Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 20 Voltaje Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET usando voltaje de puerta a fuente

Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda/Longitud del canal*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Voltaje de salida de puerta común

Vamos Tensión de salida = -(Transconductancia*Voltaje crítico)*((Resistencia de carga*Resistencia de la puerta)/(Resistencia de la puerta+Resistencia de carga))

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial

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Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET dada la señal de modo común

Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -Resistencia de salida*(Transconductancia*Señal de entrada de modo común)/(1+(2*Transconductancia*Resistencia de salida))

Voltaje de entrada de fuente

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Vamos Voltaje crítico = (Resistencia del amplificador de entrada/(Resistencia del amplificador de entrada+Resistencia de fuente equivalente))*Voltaje de entrada

Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET dada la corriente de entrada

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Voltaje positivo dado parámetro de dispositivo en MOSFET

Vamos Corriente de entrada = Voltaje puerta-fuente*(Frecuencia angular*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))

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Voltaje en el drenaje Q1 de MOSFET

Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

Voltaje en el drenaje Q2 en MOSFET

Vamos Tensión de salida = -(Resistencia de carga total de MOSFET/(2*Resistencia de salida))*Señal de entrada de modo común

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Voltaje de salida en el drenaje Q1 de MOSFET

Vamos Voltaje de drenaje Q1 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje de salida en el drenaje Q2 de MOSFET

Vamos Voltaje de drenaje Q2 = -(Resistencia de salida*Corriente Total)

Voltaje a través de la puerta a la fuente del MOSFET en el voltaje de entrada diferencial dado el voltaje de sobremarcha

Vamos Voltaje puerta-fuente = Voltaje de umbral+1.4*Voltaje efectivo

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Voltaje umbral de MOSFET

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Voltaje de salida de puerta común Fórmula

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