Concentration de dopant accepteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
Cette formule utilise 2 Constantes, 5 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Concentration de dopant accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Mobilité des trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.
Capacité de la couche d'épuisement - (Mesuré en Farad) - La capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface est la capacité de la couche d’appauvrissement par unité de surface.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Longueur du transistor: 3.2 Micromètre --> 3.2E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur du transistor: 5.5 Micromètre --> 5.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Mobilité des trous: 400 Mètre carré par volt par seconde --> 400 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la couche d'épuisement: 1.4 microfarades --> 1.4E-06 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)
Évaluer ... ...
Na = 1.00788050957133E+32
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.00788050957133E+32 Électrons par mètre cube --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
1.00788050957133E+32 1E+32 Électrons par mètre cube <-- Concentration de dopant accepteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Effet corporel dans MOSFET
​ Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)
Résistance du canal
​ Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
​ Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Concentration de dopant accepteur Formule

Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
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