Effet corporel dans MOSFET Calculatrice

↳

Électronique

Civil

Électrique

Electronique et instrumentation

Ingénieur chimiste

La science des matériaux

L'ingénierie de production

Mécanique

⤿

Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).ⓘ Tension de seuil avec polarisation de corps nulle [V_th]			+10% -10%
✖Le paramètre d'effet corporel est un paramètre qui caractérise la sensibilité de la tension de seuil du MOSFET.ⓘ Paramètre d'effet corporel [γ]			+10% -10%
✖Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.ⓘ Potentiel Fermi en vrac [Φ_f]			+10% -10%
✖La tension appliquée au corps est la tension appliquée à la borne du corps. Cette tension peut avoir un impact significatif sur le comportement et les performances du MOSFET.ⓘ Tension appliquée au corps [V_bs]			+10% -10%

✖La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain.ⓘ Effet corporel dans MOSFET [V_t]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Effet corporel dans MOSFET

Formule

`"V"_{"t"} = "V"_{"th"}+"γ"*(sqrt(2*"Φ"_{"f"}+"V"_{"bs"})-sqrt(2*"Φ"_{"f"}))`

Exemple

`"3.962586V"="3.4V"+"0.56"*(sqrt(2*"0.25V"+"2.43V")-sqrt(2*"0.25V"))`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Fabrication de circuits intégrés MOS Formules PDF PDF Image

Effet corporel dans MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Tension de seuil avec substrat - (Mesuré en Volt) - La tension seuil avec substrat est un paramètre crucial qui définit le point auquel le transistor commence à conduire le courant de la source au drain.
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).
Paramètre d'effet corporel - Le paramètre d'effet corporel est un paramètre qui caractérise la sensibilité de la tension de seuil du MOSFET.
Potentiel Fermi en vrac - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.
Tension appliquée au corps - (Mesuré en Volt) - La tension appliquée au corps est la tension appliquée à la borne du corps. Cette tension peut avoir un impact significatif sur le comportement et les performances du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil avec polarisation de corps nulle: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Aucune conversion requise
Paramètre d'effet corporel: 0.56 --> Aucune conversion requise
Potentiel Fermi en vrac: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Aucune conversion requise
Tension appliquée au corps: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Évaluer ... ...

V_t = 3.96258579757846

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.96258579757846 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Volt <-- Tension de seuil avec substrat

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés MOS » Effet corporel dans MOSFET

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Effet corporel dans MOSFET Formule

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!