Calculatrice A à Z
🔍
Télécharger PDF
Chimie
Ingénierie
Financier
Santé
Math
La physique
Fréquence de gain unitaire MOSFET Calculatrice
Ingénierie
Chimie
Financier
La physique
Math
Santé
Terrain de jeux
↳
Électronique
Civil
Électrique
Electronique et instrumentation
Ingénieur chimiste
La science des matériaux
L'ingénierie de production
Mécanique
⤿
Circuits intégrés (CI)
Amplificateurs
Antenne
Appareils optoélectroniques
Communication numérique
Communication par satellite
Communication sans fil
Communications analogiques
Conception de fibres optiques
Conception et applications CMOS
Dispositifs à semi-conducteurs
EDC
Électronique analogique
Électronique de puissance
Fabrication VLSI
Ingénierie de la télévision
Ligne de transmission et antenne
Microélectronique RF
Signal et systèmes
Système de contrôle
Système embarqué
Système radar
Systèmes de commutation de télécommunications
Théorie de l'information et codage
Théorie des champs électromagnétiques
Théorie des micro-ondes
Traitement d'image numérique
Transmission par fibre optique
⤿
Fabrication de circuits intégrés MOS
Déclencheur Schmitt
Fabrication de circuits intégrés bipolaires
✖
La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
ⓘ
Transconductance dans MOSFET [g
m
]
Abmho
Ampere / Volt
Gemmho
Gigasiemens
Kilosiemens
mégasiemens
Mho
Micromho
Microsiemens
millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Conduit de Hall Quantifié
Siemens
Statmho
+10%
-10%
✖
La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
ⓘ
Capacité de la source de porte [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
+10%
-10%
✖
La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.
ⓘ
Capacité de drainage de porte [C
gd
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulombs / Volt
décafarad
décifarade
EMU de capacitance
ESU de capacitance
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarade
Kilofarad
Mégafarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Térafarad
+10%
-10%
✖
La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.
ⓘ
Fréquence de gain unitaire MOSFET [f
t
]
Attohertz
Beats / Minute
centihertz
Cycle / Seconde
Décahertz
Décihertz
Exahertz
Femtohertz
Images par seconde
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Kilohertz
Mégahertz
Microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Révolution par jour
Révolution par heure
Révolutions par minute
Révolution par seconde
Térahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Formule
`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`
Exemple
`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`
Calculatrice
LaTeX
Réinitialiser
👍
Télécharger Fabrication de circuits intégrés MOS Formules PDF
Fréquence de gain unitaire MOSFET Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Cette formule utilise
4
Variables
Variables utilisées
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
-
(Mesuré en Hertz)
- La fréquence de gain unitaire dans MOSFET fait référence à la fréquence à laquelle le gain de tension de l'appareil chute à 1 (0 dB) dans une configuration à source commune avec une charge résistive.
Transconductance dans MOSFET
-
(Mesuré en Siemens)
- La transconductance dans le MOSFET est un paramètre clé qui décrit la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie.
Capacité de la source de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Capacité de drainage de porte
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de drain de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de drain de l'appareil.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance dans MOSFET:
2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte:
56 microfarades --> 5.6E-05 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
Capacité de drainage de porte:
2.8 microfarades --> 2.8E-06 Farad
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
f
t
= g
m
/(C
gs
+C
gd
) -->
2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Évaluer ... ...
f
t
= 37414.9659863946
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
37.4149659863946
≈
37.41497 Kilohertz
<--
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
-
Accueil
»
Ingénierie
»
Électronique
»
Circuits intégrés (CI)
»
Fabrication de circuits intégrés MOS
»
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices
Tension du point de commutation
Aller
Tension du point de commutation
= (
Tension d'alimentation
+
Tension de seuil PMOS
+
Tension de seuil NMOS
*
sqrt
(
Gain du transistor NMOS
/
Gain des transistors PMOS
))/(1+
sqrt
(
Gain du transistor NMOS
/
Gain des transistors PMOS
))
Effet corporel dans MOSFET
Aller
Tension de seuil avec substrat
=
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
+
Paramètre d'effet corporel
*(
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
+
Tension appliquée au corps
)-
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
Aller
Courant de vidange
=
Paramètre de transconductance
/2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
)^2*(1+
Facteur de modulation de longueur de canal
*
Tension de source de drain
)
Concentration de dopant du donneur
Aller
Concentration de dopant du donneur
= (
Courant de saturation
*
Longueur du transistor
)/(
[Charge-e]
*
Largeur du transistor
*
Mobilité électronique
*
Capacité de la couche d'épuisement
)
Concentration de dopant accepteur
Aller
Concentration de dopant accepteur
= 1/(2*
pi
*
Longueur du transistor
*
Largeur du transistor
*
[Charge-e]
*
Mobilité des trous
*
Capacité de la couche d'épuisement
)
Concentration maximale de dopant
Aller
Concentration maximale de dopant
=
Concentration de référence
*
exp
(-
Énergie d'activation pour la solubilité solide
/(
[BoltZ]
*
Température absolue
))
Densité de courant de dérive due aux électrons libres
Aller
Densité de courant de dérive due aux électrons
=
[Charge-e]
*
Concentration d'électrons
*
Mobilité électronique
*
Intensité du champ électrique
Temps de propagation
Aller
Temps de propagation
= 0.7*
Nombre de transistors passants
*((
Nombre de transistors passants
+1)/2)*
Résistance dans MOSFET
*
Capacité de charge
Densité du courant de dérive due aux trous
Aller
Densité du courant de dérive due aux trous
=
[Charge-e]
*
Concentration des trous
*
Mobilité des trous
*
Intensité du champ électrique
Résistance du canal
Aller
Résistance du canal
=
Longueur du transistor
/
Largeur du transistor
*1/(
Mobilité électronique
*
Densité des porteurs
)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Aller
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
Profondeur de mise au point
Aller
Profondeur de mise au point
=
Facteur de proportionnalité
*
Longueur d'onde en photolithographie
/(
Ouverture numérique
^2)
Dimension critique
Aller
Dimension critique
=
Constante dépendante du processus
*
Longueur d'onde en photolithographie
/
Ouverture numérique
Matrice par tranche
Aller
Matrice par tranche
= (
pi
*
Diamètre de la plaquette
^2)/(4*
Taille de chaque matrice
)
Épaisseur d'oxyde équivalente
Aller
Épaisseur d'oxyde équivalente
=
Épaisseur du matériau
*(3.9/
Constante diélectrique du matériau
)
Fréquence de gain unitaire MOSFET Formule
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
Accueil
GRATUIT PDF
🔍
Chercher
Catégories
Partager
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!