Calculatrice A à Z

Télécharger le Fabrication de circuits intégrés MOS PDF

  1. Téléchargement GRATUIT !
  2. Exemples inclus !
  3. Avec le lien de la calculatrice en direct !
  4. Prend en charge la conversion d'unité !
  5. PDF adaptés aux mobiles !
Ingénierie PDFs
Chimie PDFs
La physique PDFs
Math PDFs
Électronique PDFs
Civil PDFs
Électrique PDFs
Electronique et instrumentation PDFs
Ingénieur chimiste PDFs
L'ingénierie de production PDFs
Mécanique PDFs
   Fabrication de circuits intégrés MOS PDF
Formules : 15
Taille : 0 kb
GRATUIT Télécharger
Partager

En rapport PDF (72)

Actions CV des amplificateurs de scène courants
Formules : 18   Taille : 383 kb
Amplificateurs à rétroaction négative
Formules : 15   Taille : 331 kb
Amplificateurs à transistors à plusieurs étages
Formules : 15   Taille : 350 kb
Amplificateurs de réponse basse fréquence
Formules : 13   Taille : 362 kb
Amplificateurs de scène courants
Formules : 26   Taille : 426 kb
Amplificateurs de signal et CI
Formules : 17   Taille : 394 kb
Amplificateurs différentiels BJT
Formules : 19   Taille : 371 kb
Amplificateurs MOSFET
Formules : 20   Taille : 448 kb
Amplificateurs multi-étages
Formules : 20   Taille : 382 kb
Analyse analogique du bruit et de la puissance
Formules : 14   Taille : 363 kb
Antennes spéciales
Formules : 34   Taille : 512 kb
Appareils à micro-ondes BJT
Formules : 15   Taille : 365 kb
Appareils avec composants optiques
Formules : 14   Taille : 453 kb
Appareils paramétriques
Formules : 13   Taille : 324 kb
Appareils photoniques
Formules : 13   Taille : 419 kb
Bande d'énergie
Formules : 20   Taille : 376 kb
Bande latérale et modulation de fréquence
Formules : 21   Taille : 391 kb
Caractéristiques de conception CMOS
Formules : 24   Taille : 398 kb
Caractéristiques de la ligne de transmission
Formules : 15   Taille : 386 kb
Caractéristiques de la modulation d'amplitude
Formules : 18   Taille : 384 kb
Caractéristiques de l'amplificateur
Formules : 21   Taille : 434 kb
Caractéristiques de l'amplificateur à transistor
Formules : 18   Taille : 373 kb
Caractéristiques des circuits CMOS
Formules : 15   Taille : 358 kb
Caractéristiques des diodes
Formules : 16   Taille : 393 kb
Caractéristiques des semi-conducteurs
Formules : 13   Taille : 374 kb
Caractéristiques du MESFET
Formules : 13   Taille : 323 kb
Caractéristiques du MOSFET
Formules : 15   Taille : 349 kb
Caractéristiques du retard CMOS
Formules : 13   Taille : 320 kb
Caractéristiques du transporteur de charge
Formules : 16   Taille : 418 kb
Caractéristiques orbitales des satellites
Formules : 16   Taille : 348 kb
Caractéristiques temporelles CMOS
Formules : 17   Taille : 320 kb
Circuit BJT
Formules : 20   Taille : 394 kb
Circuits non linéaires
Formules : 16   Taille : 381 kb
Communication numérique
Formules : 25   Taille : 441 kb
Concept de réutilisation des fréquences
Formules : 16   Taille : 336 kb
Conception de fibres optiques
Formules : 26   Taille : 454 kb
Concepts cellulaires
Formules : 16   Taille : 326 kb
Déclencheur Schmitt
Formules : 15   Taille : 301 kb
Des amplificateurs opérationnels
Formules : 18   Taille : 379 kb
Diffusion radio mobile
Formules : 16   Taille : 343 kb
Électrons
Formules : 18   Taille : 399 kb
Étages de sortie et amplificateurs de puissance
Formules : 17   Taille : 378 kb
Filtres de puissance
Formules : 15   Taille : 340 kb
Fonctions et réseau de l'amplificateur
Formules : 15   Taille : 388 kb
Fondamentaux des communications analogiques
Formules : 24   Taille : 425 kb
Gain des amplificateurs de scène communs
Formules : 13   Taille : 308 kb
Ingénierie de la télévision
Formules : 17   Taille : 308 kb
Jonction SSD
Formules : 16   Taille : 380 kb
L'analyse des données
Formules : 15   Taille : 309 kb
Lasers
Formules : 12   Taille : 393 kb
Ligne de transmission
Formules : 15   Taille : 369 kb
Mesures de puissance CMOS
Formules : 17   Taille : 372 kb
Microélectronique RF
Formules : 19   Taille : 0 kb
Orbite géostationnaire
Formules : 14   Taille : 339 kb
Oscillateur magnétron
Formules : 17   Taille : 404 kb
Paramètres de fonctionnement des transistors
Formules : 13   Taille : 324 kb
Paramètres de la théorie des antennes
Formules : 24   Taille : 419 kb
Paramètres électrostatiques
Formules : 14   Taille : 393 kb
Porteurs de semi-conducteurs
Formules : 15   Taille : 390 kb
Propagation des ondes radio
Formules : 14   Taille : 354 kb
Propagation d'onde
Formules : 16   Taille : 365 kb
Radar
Formules : 24   Taille : 404 kb
Radars spéciaux
Formules : 21   Taille : 389 kb
Signaux à temps continu
Formules : 15   Taille : 344 kb
Signaux horaires discrets
Formules : 14   Taille : 350 kb
Sous-système CMOS à usage spécial
Formules : 20   Taille : 348 kb
Sous-système de chemin de données de tableau
Formules : 19   Taille : 365 kb
Système de commutation numérique
Formules : 15   Taille : 329 kb
Système de trafic des télécommunications
Formules : 22   Taille : 351 kb
Système embarqué
Formules : 19   Taille : 373 kb
Théorie de l'information et codage
Formules : 15   Taille : 340 kb
Transmissions de données et analyse des erreurs
Formules : 14   Taille : 298 kb

Contenu du PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

Liste des 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Formules

Concentration de dopant accepteur
​Aller
Concentration de dopant du donneur
​Aller
Concentration maximale de dopant
​Aller
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
​Aller
Densité de courant de dérive due aux électrons libres
​Aller
Densité du courant de dérive due aux trous
​Aller
Dimension critique
​Aller
Effet corporel dans MOSFET
​Aller
Épaisseur d'oxyde équivalente
​Aller
Fréquence de gain unitaire MOSFET
​Aller
Matrice par tranche
​Aller
Profondeur de mise au point
​Aller
Résistance du canal
​Aller
Temps de propagation
​Aller
Tension du point de commutation
​Aller

Variables utilisées dans le PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

  1. Cdep Capacité de la couche d'épuisement (microfarades)
  2. Cgd Capacité de drainage de porte (microfarades)
  3. Cgs Capacité de la source de porte (microfarades)
  4. Cl Capacité de charge (microfarades)
  5. Co Concentration de référence
  6. Cs Concentration maximale de dopant (Électrons par centimètre cube)
  7. CD Dimension critique (Nanomètre)
  8. dw Diamètre de la plaquette (Millimètre)
  9. DOF Profondeur de mise au point (Micromètre)
  10. DPW Matrice par tranche
  11. Ei Intensité du champ électrique (Volt par mètre)
  12. Es Énergie d'activation pour la solubilité solide (Joule)
  13. EOT Épaisseur d'oxyde équivalente (Nanomètre)
  14. ft Fréquence de gain unitaire dans MOSFET (Kilohertz)
  15. gm Transconductance dans MOSFET (Siemens)
  16. Id Courant de vidange (Ampère)
  17. Isat Courant de saturation (Ampère)
  18. Jn Densité de courant de dérive due aux électrons (Microampère)
  19. Jp Densité du courant de dérive due aux trous (Ampère par millimètre carré)
  20. k1 Constante dépendante du processus
  21. k2 Facteur de proportionnalité
  22. khigh-k Constante diélectrique du matériau
  23. Lt Longueur du transistor (Micromètre)
  24. n Concentration d'électrons (Électrons par centimètre cube)
  25. N Nombre de transistors passants
  26. Na Concentration de dopant accepteur (Électrons par mètre cube)
  27. Nd Concentration de dopant du donneur (Électrons par mètre cube)
  28. NA Ouverture numérique
  29. p Concentration des trous (Électrons par mètre cube)
  30. Qon Densité des porteurs (Électrons par mètre cube)
  31. Rch Résistance du canal (Ohm)
  32. Rm Résistance dans MOSFET (Ohm)
  33. Sd Taille de chaque matrice (Millimètre carré)
  34. Ta Température absolue (Kelvin)
  35. thigh-k Épaisseur du matériau (Nanomètre)
  36. Tp Temps de propagation (Deuxième)
  37. Vbs Tension appliquée au corps (Volt)
  38. Vdd Tension d'alimentation (Volt)
  39. Vds Tension de source de drain (Volt)
  40. Vgs Tension de source de porte (Volt)
  41. Vs Tension du point de commutation (Volt)
  42. Vt Tension de seuil avec substrat (Volt)
  43. Vth Tension de seuil avec polarisation de corps nulle (Volt)
  44. Vtn Tension de seuil NMOS (Volt)
  45. Vtp Tension de seuil PMOS (Volt)
  46. Wt Largeur du transistor (Micromètre)
  47. β Paramètre de transconductance (Siemens)
  48. βn Gain du transistor NMOS
  49. βp Gain des transistors PMOS
  50. γ Paramètre d'effet corporel
  51. λi Facteur de modulation de longueur de canal
  52. λl Longueur d'onde en photolithographie (Nanomètre)
  53. μn Mobilité électronique (Mètre carré par volt par seconde)
  54. μp Mobilité des trous (Mètre carré par volt par seconde)
  55. Φf Potentiel Fermi en vrac (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Fabrication de circuits intégrés MOS

  1. Constante: [Charge-e], 1.60217662E-19
    Charge d'électron
  2. Constante: pi, 3.14159265358979323846264338327950288
    Constante d'Archimède
  3. Constante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Constante de Boltzmann
  4. Fonction: exp, exp(Number)
    Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante.
  5. Fonction: sqrt, sqrt(Number)
    Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné.
  6. La mesure: Longueur in Micromètre (μm), Nanomètre (nm), Millimètre (mm)
    Longueur Conversion d'unité
  7. La mesure: Temps in Deuxième (s)
    Temps Conversion d'unité
  8. La mesure: Courant électrique in Ampère (A), Microampère (µA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  9. La mesure: Température in Kelvin (K)
    Température Conversion d'unité
  10. La mesure: Zone in Millimètre carré (mm²)
    Zone Conversion d'unité
  11. La mesure: Énergie in Joule (J)
    Énergie Conversion d'unité
  12. La mesure: Fréquence in Kilohertz (kHz)
    Fréquence Conversion d'unité
  13. La mesure: Capacitance in microfarades (μF)
    Capacitance Conversion d'unité
  14. La mesure: Résistance électrique in Ohm (Ω)
    Résistance électrique Conversion d'unité
  15. La mesure: Conductivité électrique in Siemens (S)
    Conductivité électrique Conversion d'unité
  16. La mesure: Longueur d'onde in Nanomètre (nm), Micromètre (μm)
    Longueur d'onde Conversion d'unité
  17. La mesure: Densité de courant de surface in Ampère par millimètre carré (A/mm²)
    Densité de courant de surface Conversion d'unité
  18. La mesure: Intensité du champ électrique in Volt par mètre (V/m)
    Intensité du champ électrique Conversion d'unité
  19. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité
  20. La mesure: Mobilité in Mètre carré par volt par seconde (m²/V*s)
    Mobilité Conversion d'unité
  21. La mesure: Densité d'électron in Électrons par mètre cube (electrons/m³), Électrons par centimètre cube (electrons/cm³)
    Densité d'électron Conversion d'unité
Télécharger maintenant!
Partager

Fabrication de circuits intégrés MOS gratuit PDF

Obtenez le PDF Fabrication de circuits intégrés MOS gratuit à télécharger dès aujourd'hui. Des exemples sont inclus après chaque formule avec un lien vers une calculatrice en direct ! Toutes les formules et calculatrices prennent également en charge la conversion d'unités. Ce PDF présente 15 calculatrices de Électronique. À l'intérieur, vous découvrirez une liste de formules telles que Effet corporel dans MOSFET, Fréquence de gain unitaire MOSFET et 15 autres formules !. Les variables, fonctions et constantes sont résumées à la fin. Explorez et partagez des PDF de Fabrication de circuits intégrés MOS!

Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2016-2024 A softusvista inc. venture!


Home Icon
Accueil PDF Icon
GRATUIT PDF
🔍 Chercher
Category Icon
Catégories
Share Icon
Partager
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!