Réactance capacitive du Mosfet Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilisées
pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288
Variables utilisées
Réactance capacitive - (Mesuré en Ohm) - La réactance capacitive d'un condensateur est inversement proportionnelle à la fréquence du signal alternatif. Cela signifie que plus la fréquence augmente, plus la réactance capacitive diminue.
Fréquence - (Mesuré en Hertz) - La fréquence est le nombre d'occurrences d'un événement répétitif par unité de temps. Elle est également parfois appelée fréquence temporelle pour plus de clarté et pour la distinguer de la fréquence spatiale.
Capacitance - (Mesuré en Farad) - La capacité est la capacité d'un appareil à stocker de l'énergie électrique sous la forme d'une charge électrique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Fréquence: 14 Hertz --> 14 Hertz Aucune conversion requise
Capacitance: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Xc = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)
Évaluer ... ...
Xc = 0.00237828665708152
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00237828665708152 Ohm --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.00237828665708152 0.002378 Ohm <-- Réactance capacitive
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET
​ Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde
Fréquence de transition du MOSFET
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET
​ Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Déphasage dans le circuit RC de sortie
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))
Fréquence critique inférieure du Mosfet
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)
Sortie Miller Capacité Mosfet
​ Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
Déphasage dans le circuit RC d'entrée
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)
Réactance capacitive du Mosfet
​ Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Capacité Miller du Mosfet
​ Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Fréquence critique du Mosfet
​ Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)
Atténuation du circuit RC
​ Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Réactance capacitive du Mosfet Formule

Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
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