Reattanza capacitiva del Mosfet calcolatrice

✖La frequenza è il numero di occorrenze di un evento ricorrente per unità di tempo. Occasionalmente viene anche chiamata frequenza temporale per chiarezza e per distinguerla dalla frequenza spaziale.ⓘ Frequenza [f]			+10% -10%
✖La capacità è la capacità di un dispositivo di immagazzinare energia elettrica sotto forma di carica elettrica.ⓘ Capacità [c]			+10% -10%

✖La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.ⓘ Reattanza capacitiva del Mosfet [X_c]

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Formula

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Reattanza capacitiva del Mosfet

Formula

`"X"_{"c"} = 1/(2*pi*"f"*"c")`

Esempio

`"0.002378Ω"=1/(2*pi*"14Hz"*"4.78F")`

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Reattanza capacitiva del Mosfet Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)
X_c = 1/(2*pi*f*c)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Reattanza capacitiva - (Misurato in Ohm) - La reattanza capacitiva di un condensatore è inversamente proporzionale alla frequenza del segnale CA. Ciò significa che all'aumentare della frequenza, la reattanza capacitiva diminuisce.
Frequenza - (Misurato in Hertz) - La frequenza è il numero di occorrenze di un evento ricorrente per unità di tempo. Occasionalmente viene anche chiamata frequenza temporale per chiarezza e per distinguerla dalla frequenza spaziale.
Capacità - (Misurato in Farad) - La capacità è la capacità di un dispositivo di immagazzinare energia elettrica sotto forma di carica elettrica.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza: 14 Hertz --> 14 Hertz Nessuna conversione richiesta
Capacità: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

X_c = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)

Valutare ... ...

X_c = 0.00237828665708152

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00237828665708152 Ohm --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.00237828665708152 ≈ 0.002378 Ohm <-- Reattanza capacitiva

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Reattanza capacitiva del Mosfet Formula

Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)
X_c = 1/(2*pi*f*c)

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