Kapazitive Reaktanz von Mosfet Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Kapazitive Reaktanz - (Gemessen in Ohm) - Die kapazitive Reaktanz eines Kondensators ist umgekehrt proportional zur Frequenz des Wechselstromsignals. Das bedeutet, dass mit zunehmender Frequenz die kapazitive Reaktanz abnimmt.
Frequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Häufigkeit ist die Häufigkeit des Auftretens eines sich wiederholenden Ereignisses pro Zeiteinheit. Aus Gründen der Klarheit und zur Unterscheidung von der Ortsfrequenz wird sie gelegentlich auch als zeitliche Frequenz bezeichnet.
Kapazität - (Gemessen in Farad) - Kapazität ist die Fähigkeit eines Geräts, elektrische Energie in Form einer elektrischen Ladung zu speichern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Frequenz: 14 Hertz --> 14 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Kapazität: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Xc = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)
Auswerten ... ...
Xc = 0.00237828665708152
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.00237828665708152 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.00237828665708152 0.002378 Ohm <-- Kapazitive Reaktanz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
​ Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
​ Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
​ Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Miller-Kapazität von Mosfet
​ Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
​ Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
​ Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Kapazitive Reaktanz von Mosfet Formel

Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
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