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Reatância capacitiva do Mosfet Calculadora
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Tensão
Transcondutância
Transistor MOS
✖
Frequência é o número de ocorrências de um evento repetido por unidade de tempo. Também é ocasionalmente referida como frequência temporal para maior clareza e para distingui-la da frequência espacial.
ⓘ
Frequência [f]
Attohertz
Batidas / Minuto
Centihertz
Ciclo/Segundo
Decahertz
Decihertz
exahertz
Femtohertz
Frames por segundo
Gigahertz
Hectohertz
Hertz
Quilohertz
Megahertz
Microhertz
Milhertz
Nanohertz
petahertz
Picohertz
revolução por dia
Revolução por hora
Revolução por minuto
revolução por segundo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
+10%
-10%
✖
Capacitância é a capacidade de um dispositivo armazenar energia elétrica na forma de carga elétrica.
ⓘ
Capacitância [c]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
A reatância capacitiva de um capacitor é inversamente proporcional à frequência do sinal CA. Isto significa que à medida que a frequência aumenta, a reatância capacitiva diminui.
ⓘ
Reatância capacitiva do Mosfet [X
c
]
Abohm
EMU de Resistência
ESU da Resistência
Exaohm
Gigaohm
Quilohm
Megohm
Microhm
Miliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck impedância
Quantized Hall Resistência
Siemens recíproca
Statohm
Volt por Ampere
Yottaohm
Zettaohm
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Reatância capacitiva do Mosfet
Fórmula
`"X"_{"c"} = 1/(2*pi*"f"*"c")`
Exemplo
`"0.002378Ω"=1/(2*pi*"14Hz"*"4.78F")`
Calculadora
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Reatância capacitiva do Mosfet Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Reatância capacitiva
= 1/(2*
pi
*
Frequência
*
Capacitância
)
X
c
= 1/(2*
pi
*
f
*
c
)
Esta fórmula usa
1
Constantes
,
3
Variáveis
Constantes Usadas
pi
- Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Reatância capacitiva
-
(Medido em Ohm)
- A reatância capacitiva de um capacitor é inversamente proporcional à frequência do sinal CA. Isto significa que à medida que a frequência aumenta, a reatância capacitiva diminui.
Frequência
-
(Medido em Hertz)
- Frequência é o número de ocorrências de um evento repetido por unidade de tempo. Também é ocasionalmente referida como frequência temporal para maior clareza e para distingui-la da frequência espacial.
Capacitância
-
(Medido em Farad)
- Capacitância é a capacidade de um dispositivo armazenar energia elétrica na forma de carga elétrica.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência:
14 Hertz --> 14 Hertz Nenhuma conversão necessária
Capacitância:
4.78 Farad --> 4.78 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
X
c
= 1/(2*pi*f*c) -->
1/(2*
pi
*14*4.78)
Avaliando ... ...
X
c
= 0.00237828665708152
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00237828665708152 Ohm --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.00237828665708152
≈
0.002378 Ohm
<--
Reatância capacitiva
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
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Reatância capacitiva do Mosfet
Créditos
Criado por
Suma Madhuri
Universidade VIT
(VITA)
,
Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!
<
15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras
Condutância do Canal de MOSFETs
Vai
Condutância do Canal
=
Mobilidade de elétrons na superfície do canal
*
Capacitância de Óxido
*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*
Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
Vai
Frequência de transição
=
Transcondutância
/(2*
pi
*(
Capacitância da porta de origem
+
Capacitância Gate-Dreno
))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
Vai
Carga do Elétron no Canal
=
Capacitância de Óxido
*
Largura de banda
*
Comprimento do canal
*
Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
Vai
Frequência de canto
= 1/(2*
pi
*(
Resistência
+
Resistência de entrada
)*
Capacitância
)
Mudança de fase no circuito RC de saída
Vai
Mudança de fase
=
arctan
(
Reatância capacitiva
/(
Resistência
+
Resistência de carga
))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
Vai
Largura de banda
=
Capacitância de sobreposição
/(
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
Vai
Capacitância de sobreposição
=
Largura de banda
*
Capacitância de Óxido
*
Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
Vai
Capacitância do canal de porta
=
Capacitância de Óxido
*
Largura de banda
*
Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
Vai
Capacitância Miller de saída
=
Capacitância Gate-Dreno
*((
Ganho de tensão
+1)/
Ganho de tensão
)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
Vai
Frequência de canto
= 1/(2*
pi
*
Resistência de entrada
*
Capacitância de Miller
)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
Vai
Mudança de fase
=
arctan
(
Reatância capacitiva
/
Resistência de entrada
)
Reatância capacitiva do Mosfet
Vai
Reatância capacitiva
= 1/(2*
pi
*
Frequência
*
Capacitância
)
Capacitância de Miller do Mosfet
Vai
Capacitância de Miller
=
Capacitância Gate-Dreno
*(
Ganho de tensão
+1)
Frequência Crítica do Mosfet
Vai
Frequência Crítica em decibéis
= 10*
log10
(
Frequência Crítica
)
Atenuação do Circuito RC
Vai
Atenuação
=
Tensão Base
/
Tensão de entrada
Reatância capacitiva do Mosfet Fórmula
Reatância capacitiva
= 1/(2*
pi
*
Frequência
*
Capacitância
)
X
c
= 1/(2*
pi
*
f
*
c
)
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