Reatância capacitiva do Mosfet Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis
Constantes Usadas
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Reatância capacitiva - (Medido em Ohm) - A reatância capacitiva de um capacitor é inversamente proporcional à frequência do sinal CA. Isto significa que à medida que a frequência aumenta, a reatância capacitiva diminui.
Frequência - (Medido em Hertz) - Frequência é o número de ocorrências de um evento repetido por unidade de tempo. Também é ocasionalmente referida como frequência temporal para maior clareza e para distingui-la da frequência espacial.
Capacitância - (Medido em Farad) - Capacitância é a capacidade de um dispositivo armazenar energia elétrica na forma de carga elétrica.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência: 14 Hertz --> 14 Hertz Nenhuma conversão necessária
Capacitância: 4.78 Farad --> 4.78 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Xc = 1/(2*pi*f*c) --> 1/(2*pi*14*4.78)
Avaliando ... ...
Xc = 0.00237828665708152
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00237828665708152 Ohm --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.00237828665708152 0.002378 Ohm <-- Reatância capacitiva
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Suma Madhuri
Universidade VIT (VITA), Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
​ Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)
Mudança de fase no circuito RC de saída
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
​ Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)
Reatância capacitiva do Mosfet
​ Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Capacitância de Miller do Mosfet
​ Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Frequência Crítica do Mosfet
​ Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Atenuação do Circuito RC
​ Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Reatância capacitiva do Mosfet Fórmula

Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Xc = 1/(2*pi*f*c)
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