Capacité de base du collecteur Calculatrice

✖La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.ⓘ Zone de jonction de la base de l'émetteur [A]			+10% -10%
✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La permittivité est une propriété physique qui décrit le degré de résistance qu'un matériau offre à la formation d'un champ électrique en son sein.ⓘ Permittivité [ε]			+10% -10%
✖La densité de dopage est un processus dans lequel certains atomes d'impuretés, tels que le phosphore ou le bore, sont introduits dans le semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques.ⓘ Densité du dopage [N_b]			+10% -10%
✖Le potentiel intégré affecte la taille de la région d'appauvrissement, qui à son tour influence la capacité de la jonction.ⓘ Potentiel intégré [ψ_o]			+10% -10%
✖La jonction de polarisation inverse fait référence à la condition dans un dispositif semi-conducteur, dans laquelle la tension appliquée aux bornes de la jonction s'oppose au flux normal de courant à travers le dispositif.ⓘ Jonction de polarisation inverse [V_rb]			+10% -10%

✖La capacité de la base du collecteur est simplement la capacité de la jonction collecteur-base comprenant à la fois la partie inférieure plate de la jonction et les parois latérales.ⓘ Capacité de base du collecteur [C_cb]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Capacité de base du collecteur

Formule

`"C"_{"cb"} = "A"*sqrt(("q"*"ε"*"N"_{"b"})/(2*("ψ"_{"o"}+"V"_{"rb"})))`

Exemple

`"138.6693μF"="1.75cm²"*sqrt(("5mC"*"71F/m"*"26electrons/m³")/(2*("4.8V"+"2.55A")))`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger BJT Formule PDF PDF Image

Capacité de base du collecteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de base du collecteur = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse)))
C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb)))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 7 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Capacité de base du collecteur - (Mesuré en Farad) - La capacité de la base du collecteur est simplement la capacité de la jonction collecteur-base comprenant à la fois la partie inférieure plate de la jonction et les parois latérales.
Zone de jonction de la base de l'émetteur - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction de base de l'émetteur est une jonction PN formée entre le matériau de type P fortement dopé (émetteur) et le matériau de type N légèrement dopé (base) du transistor.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Permittivité - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité est une propriété physique qui décrit le degré de résistance qu'un matériau offre à la formation d'un champ électrique en son sein.
Densité du dopage - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La densité de dopage est un processus dans lequel certains atomes d'impuretés, tels que le phosphore ou le bore, sont introduits dans le semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques.
Potentiel intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré affecte la taille de la région d'appauvrissement, qui à son tour influence la capacité de la jonction.
Jonction de polarisation inverse - (Mesuré en Ampère) - La jonction de polarisation inverse fait référence à la condition dans un dispositif semi-conducteur, dans laquelle la tension appliquée aux bornes de la jonction s'oppose au flux normal de courant à travers le dispositif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Zone de jonction de la base de l'émetteur: 1.75 place Centimètre --> 0.000175 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Permittivité: 71 Farad par mètre --> 71 Farad par mètre Aucune conversion requise
Densité du dopage: 26 Électrons par mètre cube --> 26 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise
Potentiel intégré: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Aucune conversion requise
Jonction de polarisation inverse: 2.55 Ampère --> 2.55 Ampère Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb))) --> 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55)))

Évaluer ... ...

C_cb = 0.000138669270808881

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000138669270808881 Farad -->138.669270808881 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

138.669270808881 ≈ 138.6693 microfarades <-- Capacité de base du collecteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Capacité de base du collecteur

Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< 11 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de base du collecteur

Aller Capacité de base du collecteur = Zone de jonction de la base de l'émetteur*sqrt((Charge*Permittivité*Densité du dopage)/(2*(Potentiel intégré+Jonction de polarisation inverse)))

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Capacité de base du collecteur Formule

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!