Charge d'électrons stockée dans la base de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur
Qn = 𝛕F*Ic
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Charge d'électrons stockée - (Mesuré en Coulomb) - La charge électronique stockée est généralement effectuée par un condensateur, composé de deux plaques séparées par un mince matériau isolant appelé diélectrique.
Constante de l'appareil - (Mesuré en Deuxième) - Une valeur constante de dispositif est définie une fois et peut être référencée plusieurs fois dans un programme.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Constante de l'appareil: 2 Deuxième --> 2 Deuxième Aucune conversion requise
Courant de collecteur: 5 Milliampère --> 0.005 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Évaluer ... ...
Qn = 0.01
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.01 Coulomb --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.01 Coulomb <-- Charge d'électrons stockée
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base
​ Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement
Fréquence de transition du BJT
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base
​ Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Bande passante à gain unitaire de BJT
​ Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)
Capacité de diffusion de petit signal de BJT
​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)
Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire
​ Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
Charge d'électrons stockée dans la base de BJT
​ Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur
Capacité de diffusion de petits signaux
​ Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance
Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil
​ Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)
Capacité de jonction base-émetteur
​ Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT Formule

Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur
Qn = 𝛕F*Ic

Comment stockez-vous les électrons?

Les électrons sont systématiquement collectés et stockés dans un anneau de stockage d'électrons. Il se compose d'un ensemble d'éléments magnétiques, principalement des dipôles pour plier les particules en un anneau et des quadripôles pour maintenir les électrons étroitement focalisés.

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