Capacité de jonction base-émetteur Calculatrice

✖La capacité de jonction base-émetteur est la capacité de la jonction qui est polarisée en direct et qui est représentée par une diode.ⓘ Capacité de jonction base-émetteur [C]

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Capacité de jonction base-émetteur

Formule

`"C" = 2*"C"_{"eb"}`

Exemple

`"3μF"=2*"1.5μF"`

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Capacité de jonction base-émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base
C = 2*C_eb
Cette formule utilise 2 Variables

Variables utilisées

Capacité de jonction base-émetteur - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction base-émetteur est la capacité de la jonction qui est polarisée en direct et qui est représentée par une diode.
Capacité émetteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité émetteur-base: 1.5 microfarades --> 1.5E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Évaluer ... ...

C = 3E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3E-06 Farad -->3 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

3 microfarades <-- Capacité de jonction base-émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Capacité de jonction base-émetteur

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Capacité de jonction base-émetteur Formule

Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base
C = 2*C_eb

Qu'est-ce que le BJT et ses types?

Un transistor bipolaire (transistor bipolaire à jonction: BJT) est constitué de trois régions semi-conductrices formant deux jonctions. Il existe deux types de structure: NPN et PNP. Des produits avec NPN jusqu'à 800 V et PNP jusqu'à -600 V sont disponibles. En outre, il existe également des transistors intégrés à résistance de polarisation (BRT).

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