Capacité de diffusion de petit signal de BJT Calculatrice

✖Une valeur constante de dispositif est définie une fois et peut être référencée plusieurs fois dans un programme.ⓘ Constante de l'appareil [𝛕_F]			+10% -10%
✖Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant de collecteur [I_c]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.ⓘ Tension de seuil [V_th]			+10% -10%

✖La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.ⓘ Capacité de diffusion de petit signal de BJT [C_eb]

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Formule

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Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Formule

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Exemple

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

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Capacité de diffusion de petit signal de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité émetteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.
Constante de l'appareil - (Mesuré en Deuxième) - Une valeur constante de dispositif est définie une fois et peut être référencée plusieurs fois dans un programme.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Constante de l'appareil: 2 Deuxième --> 2 Deuxième Aucune conversion requise
Courant de collecteur: 5 Milliampère --> 0.005 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension de seuil: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Évaluer ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00181818181818182 Farad -->1818.18181818182 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1818.18181818182 ≈ 1818.182 microfarades <-- Capacité émetteur-base

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Capacité de diffusion de petit signal de BJT Formule

Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

Quelle est la différence entre la capacité de transition et la capacité de diffusion?

La capacité de transition est fondamentalement le changement de charge stockée dans la région d'appauvrissement par rapport à un changement de tension. Et la capacité de diffusion est la capacité provoquée en raison du mouvement des porteurs de charge entre l'anode et la cathode dans le mode polarisé en direct.

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