Courant de drain du FET Calculatrice

✖Le courant de drain de polarisation nulle dans un FET est le courant de drain qui circule lorsque la tension de grille est égale à zéro.ⓘ Courant de drain de polarisation nulle [I_dss]			+10% -10%
✖Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.ⓘ Gain à la tension source [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Le gain de coupure par rapport à la tension source est un terme utilisé pour décrire le gain de tension d'un transistor à effet de champ (FET) lorsque la tension grille-source est égale à la tension de pincement.ⓘ Gain de coupure par rapport à la tension source [V_gs(off)]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.ⓘ Courant de drain du FET [I_d]

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Formule

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Courant de drain du FET

Formule

`"I"_{"d"} = "I"_{"dss"}*(1-"V"_{"(g-s)"}/"V"_{"gs(off)"})^2`

Exemple

`"0.899113A"="0.96A"*(1-"0.0039V"/"0.121V")^2`

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Courant de drain du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2
I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Courant de drain de polarisation nulle - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de polarisation nulle dans un FET est le courant de drain qui circule lorsque la tension de grille est égale à zéro.
Gain à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.
Gain de coupure par rapport à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain de coupure par rapport à la tension source est un terme utilisé pour décrire le gain de tension d'un transistor à effet de champ (FET) lorsque la tension grille-source est égale à la tension de pincement.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de drain de polarisation nulle: 0.96 Ampère --> 0.96 Ampère Aucune conversion requise
Gain à la tension source: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Aucune conversion requise
Gain de coupure par rapport à la tension source: 0.121 Volt --> 0.121 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2 --> 0.96*(1-0.0039/0.121)^2

Évaluer ... ...

I_d = 0.899113011406325

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.899113011406325 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.899113011406325 ≈ 0.899113 Ampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Courant de drain du FET Formule

Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2
I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2

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