Tension de source de drain du FET Calculatrice

✖La tension d'alimentation au drain contrôle le courant de drain maximum que le JFET peut conduire. Plus la tension d'alimentation est élevée, plus le courant de drain maximum est élevé.ⓘ Tension d'alimentation au drain [V_dd]			+10% -10%
✖Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.ⓘ Courant de vidange [I_d]			+10% -10%
✖La résistance de drainage d'un JFET peut être réduite en utilisant un JFET avec une largeur et une longueur de canal plus larges. Les JFET avec des largeurs et des longueurs de canal plus larges ont une résistance plus faible.ⓘ Résistance aux fuites [R_drain]			+10% -10%
✖La résistance de source d'un JFET est généralement beaucoup plus petite que la résistance de drain. En effet, la source d'un JFET est connectée à la terre, qui a une très faible résistance.ⓘ Résistance à la source [R_in]			+10% -10%

✖La tension drain-source contrôle le flux de courant à travers le JFET. Plus la tension drain-source est élevée, plus le courant circulera à travers le JFET.ⓘ Tension de source de drain du FET [V_ds]

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Formule

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Tension de source de drain du FET

Formule

`"V"_{"ds"} = "V"_{"dd"}-"I"_{"d"}*("R"_{"drain"}+"R"_{"in"})`

Exemple

`"1.69V"="5V"-"10A"*("0.12Ω"+"0.211Ω")`

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Tension de source de drain du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)
V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Tension de drain vers la source - (Mesuré en Volt) - La tension drain-source contrôle le flux de courant à travers le JFET. Plus la tension drain-source est élevée, plus le courant circulera à travers le JFET.
Tension d'alimentation au drain - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation au drain contrôle le courant de drain maximum que le JFET peut conduire. Plus la tension d'alimentation est élevée, plus le courant de drain maximum est élevé.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drainage d'un JFET peut être réduite en utilisant un JFET avec une largeur et une longueur de canal plus larges. Les JFET avec des largeurs et des longueurs de canal plus larges ont une résistance plus faible.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de source d'un JFET est généralement beaucoup plus petite que la résistance de drain. En effet, la source d'un JFET est connectée à la terre, qui a une très faible résistance.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation au drain: 5 Volt --> 5 Volt Aucune conversion requise
Courant de vidange: 10 Ampère --> 10 Ampère Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 0.12 Ohm --> 0.12 Ohm Aucune conversion requise
Résistance à la source: 0.211 Ohm --> 0.211 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in) --> 5-10*(0.12+0.211)

Évaluer ... ...

V_ds = 1.69

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.69 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.69 Volt <-- Tension de drain vers la source

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Tension de source de drain du FET Formule

Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)
V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in)

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