Drainstrom des FET Taschenrechner

✖Der Drainstrom mit Nullvorspannung in einem FET ist der Drainstrom, der fließt, wenn die Gatespannung gleich Null ist.ⓘ Drainstrom mit Nullvorspannung [I_dss]			+10% -10%
✖Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.ⓘ Verstärkung zur Quellenspannung [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Cuttoff Gain to Source-Spannung ist ein Begriff, der die Spannungsverstärkung eines Feldeffekttransistors (FET) beschreibt, wenn die Gate-Source-Spannung gleich der Abschnürspannung ist.ⓘ Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung [V_gs(off)]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Drainstrom des FET [I_d]

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Formel

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Drainstrom des FET

Formel

`"I"_{"d"} = "I"_{"dss"}*(1-"V"_{"(g-s)"}/"V"_{"gs(off)"})^2`

Beispiel

`"0.899113A"="0.96A"*(1-"0.0039V"/"0.121V")^2`

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Drainstrom des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2
I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Drainstrom mit Nullvorspannung - (Gemessen in Ampere) - Der Drainstrom mit Nullvorspannung in einem FET ist der Drainstrom, der fließt, wenn die Gatespannung gleich Null ist.
Verstärkung zur Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.
Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Cuttoff Gain to Source-Spannung ist ein Begriff, der die Spannungsverstärkung eines Feldeffekttransistors (FET) beschreibt, wenn die Gate-Source-Spannung gleich der Abschnürspannung ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Drainstrom mit Nullvorspannung: 0.96 Ampere --> 0.96 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Verstärkung zur Quellenspannung: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung: 0.121 Volt --> 0.121 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2 --> 0.96*(1-0.0039/0.121)^2

Auswerten ... ...

I_d = 0.899113011406325

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.899113011406325 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.899113011406325 ≈ 0.899113 Ampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Drainstrom des FET Formel

Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2
I_d = I_dss*(1-V_(g-s)/V_gs(off))^2

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