Pincer la tension du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source
Voff = Voff(d-s)-V(g-s)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Tension de pincement - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement est la tension à laquelle le canal d'un transistor à effet de champ (FET) devient si étroit qu'il se ferme efficacement, empêchant tout flux de courant supplémentaire.
Pincez le drain vers la tension source - (Mesuré en Volt) - La tension de drain à source dans un JFET est la tension à laquelle les régions d'appauvrissement des jonctions de grille se rencontrent et pincent le canal, empêchant tout flux de courant supplémentaire.
Gain à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Pincez le drain vers la tension source: 68.16 Volt --> 68.16 Volt Aucune conversion requise
Gain à la tension source: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Voff = Voff(d-s)-V(g-s) --> 68.16-0.0039
Évaluer ... ...
Voff = 68.1561
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
68.1561 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
68.1561 Volt <-- Tension de pincement
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Mohamed Fazil V
Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore
Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET
​ Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))
Transconductance du FET
​ Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)
Tension de source de drain du FET
​ Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)
Courant de drain du FET
​ Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2
Capacité du substrat de porte du FET
​ Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)
Capacité de drain de grille du FET
​ Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)
Capacité de source de porte du FET
​ Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)
Pincer la tension du FET
​ Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source
Transconductance directe du FET
​ Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source
Gain de tension du FET
​ Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Pincer la tension du FET Formule

Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source
Voff = Voff(d-s)-V(g-s)
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