Résistance de sortie de vidange Calculatrice

✖Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.ⓘ Libre parcours moyen des électrons [λ]			+10% -10%
✖Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%

✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie de vidange [R_out]

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Formule

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Résistance de sortie de vidange

Formule

`"R"_{"out"} = 1/("λ"*"i"_{"d"})`

Exemple

`"4.496403kΩ"=1/("2.78"*"0.08mA")`

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Résistance de sortie de vidange Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)
R_out = 1/(λ*i_d)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Libre parcours moyen des électrons - Libre parcours moyen d'électrons qui représente la distance moyenne qu'un électron peut parcourir sans se disperser avec des impuretés, des défaites ou d'autres obstacles à l'intérieur du dispositif à semi-conducteurs.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Libre parcours moyen des électrons: 2.78 --> Aucune conversion requise
Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_out = 1/(λ*i_d) --> 1/(2.78*8E-05)

Évaluer ... ...

R_out = 4496.40287769784

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4496.40287769784 Ohm -->4.49640287769784 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

4.49640287769784 ≈ 4.496403 Kilohm <-- Résistance de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 14 Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)

Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel

Aller Résistance de sortie = ((Signal d'entrée en mode commun*Transconductance)-Courant total)/(2*Transconductance*Courant total)

Résistance d'entrée du Mosfet

Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/(Courant du collecteur*Gain de courant de petit signal)

Résistance finie entre le drain et la source

Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange

Libre parcours moyen des électrons

Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)

Résistance de sortie de vidange

Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)

Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal

Aller Résistance de sortie = 1/(Modulation de longueur de canal*Courant de vidange)

Résistance de sortie étant donné la transconductance

Aller Résistance de sortie = 1/(Mobilité des transporteurs*Transconductance)

Résistance d'entrée étant donné la transconductance

Aller Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance

Résistance de sortie du Mosfet

Aller Résistance de sortie = Tension précoce/Courant du collecteur

Résistance dépendante de la tension dans MOSFET

Aller Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange

Résistance d'entrée de petit signal

Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de base

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

MOSFET comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = 1/Conductance du canal

Résistance de sortie de vidange Formule

Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)
R_out = 1/(λ*i_d)

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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