Résistance finie entre le drain et la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Rfi = modulus(Va)/id
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 3 Variables
Fonctions utilisées
modulus - Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre., modulus
Variables utilisées
Résistance finie - (Mesuré en Ohm) - Une résistance finie signifie simplement que la résistance dans un circuit n’est ni infinie ni nulle. En d’autres termes, le circuit présente une certaine résistance, ce qui peut affecter le comportement du circuit.
Tension CC positive - (Mesuré en Volt) - La tension continue positive est la tension à la borne positive d'une source de tension continue qui est supérieure à celle de la borne négative, ce qui entraîne un flux de courant électrique dans une direction spécifique.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui circule entre les bornes de drain et de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension CC positive: 0.0051 Volt --> 0.0051 Volt Aucune conversion requise
Courant de vidange: 0.08 Milliampère --> 8E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rfi = modulus(Va)/id --> modulus(0.0051)/8E-05
Évaluer ... ...
Rfi = 63.75
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
63.75 Ohm -->0.06375 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.06375 Kilohm <-- Résistance finie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

14 Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)
Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel
​ Aller Résistance de sortie = ((Signal d'entrée en mode commun*Transconductance)-Courant total)/(2*Transconductance*Courant total)
Résistance d'entrée du Mosfet
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/(Courant du collecteur*Gain de courant de petit signal)
Résistance finie entre le drain et la source
​ Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Libre parcours moyen des électrons
​ Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)
Résistance de sortie de vidange
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Modulation de longueur de canal*Courant de vidange)
Résistance de sortie étant donné la transconductance
​ Aller Résistance de sortie = 1/(Mobilité des transporteurs*Transconductance)
Résistance d'entrée étant donné la transconductance
​ Aller Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance
Résistance de sortie du Mosfet
​ Aller Résistance de sortie = Tension précoce/Courant du collecteur
Résistance dépendante de la tension dans MOSFET
​ Aller Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange
Résistance d'entrée de petit signal
​ Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de base
Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET
​ Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
MOSFET comme résistance linéaire
​ Aller Résistance linéaire = 1/Conductance du canal

Résistance finie entre le drain et la source Formule

Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange
Rfi = modulus(Va)/id

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec Vgs. La réciproque de la pente de la caractéristique log (Id) par rapport à Vgs est définie comme la pente sous-seuil, S, et est l'une des mesures de performance les plus critiques pour les MOSFET dans les applications logiques.

Quelle est la plage de résistance finie?

La résistance typiquement finie est comprise entre 10kΩ et 1000kΩ.C'est le défaut le plus grave du modèle à petit signal est qu'il suppose que le courant de drain en saturation est indépendant de la tension de drain alors qu'il dépend également de la résistance finie.

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