Ausgangswiderstand entleeren Taschenrechner

✖Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.ⓘ Mittlerer freier Elektronenweg [λ]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%

✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand entleeren [R_out]

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Formel

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Ausgangswiderstand entleeren

Formel

`"R"_{"out"} = 1/("λ"*"i"_{"d"})`

Beispiel

`"4.496403kΩ"=1/("2.78"*"0.08mA")`

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Ausgangswiderstand entleeren Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
R_out = 1/(λ*i_d)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Mittlerer freier Elektronenweg - Der mittlere freie Elektronenweg gibt die durchschnittliche Entfernung an, die ein Elektron zurücklegen kann, ohne an Verunreinigungen, Beschädigungen oder anderen Hindernissen innerhalb des Festkörpergeräts zu streuen.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mittlerer freier Elektronenweg: 2.78 --> Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 0.08 Milliampere --> 8E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_out = 1/(λ*i_d) --> 1/(2.78*8E-05)

Auswerten ... ...

R_out = 4496.40287769784

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4496.40287769784 Ohm -->4.49640287769784 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4.49640287769784 ≈ 4.496403 Kiloohm <-- Ausgangswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)

Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers

Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)

Eingangswiderstand des Mosfet

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)

Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source

Gehen Endlicher Widerstand = modulus(Positive Gleichspannung)/Stromverbrauch

Mittlerer freier Elektronenweg

Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand entleeren

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)

Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET

Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch

Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)

Ausgangswiderstand des Mosfet

Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

MOSFET als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

Ausgangswiderstand entleeren Formel

Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)
R_out = 1/(λ*i_d)

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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