Drain-Source-Spannung des FET Taschenrechner

✖Die Versorgungsspannung am Drain steuert den maximalen Drain-Strom, den der JFET leiten kann. Je höher die Versorgungsspannung, desto höher ist der maximale Drainstrom.ⓘ Versorgungsspannung am Drain [V_dd]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Stromverbrauch [I_d]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand eines JFET kann durch die Verwendung eines JFET mit einer größeren Kanalbreite und -länge verringert werden. JFETs mit größeren Kanalbreiten und -längen haben einen geringeren Widerstand.ⓘ Abflusswiderstand [R_drain]			+10% -10%
✖Der Source-Widerstand eines JFET ist typischerweise viel kleiner als der Drain-Widerstand. Dies liegt daran, dass die Source eines JFET mit der Erde verbunden ist, die einen sehr geringen Widerstand aufweist.ⓘ Quellenwiderstand [R_in]			+10% -10%

✖Die Drain-Source-Spannung steuert den Stromfluss durch den JFET. Je höher die Drain-Source-Spannung ist, desto mehr Strom fließt durch den JFET.ⓘ Drain-Source-Spannung des FET [V_ds]

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Formel

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Drain-Source-Spannung des FET

Formel

`"V"_{"ds"} = "V"_{"dd"}-"I"_{"d"}*("R"_{"drain"}+"R"_{"in"})`

Beispiel

`"1.69V"="5V"-"10A"*("0.12Ω"+"0.211Ω")`

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Drain-Source-Spannung des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)
V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Drain-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung steuert den Stromfluss durch den JFET. Je höher die Drain-Source-Spannung ist, desto mehr Strom fließt durch den JFET.
Versorgungsspannung am Drain - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung am Drain steuert den maximalen Drain-Strom, den der JFET leiten kann. Je höher die Versorgungsspannung, desto höher ist der maximale Drainstrom.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand eines JFET kann durch die Verwendung eines JFET mit einer größeren Kanalbreite und -länge verringert werden. JFETs mit größeren Kanalbreiten und -längen haben einen geringeren Widerstand.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Source-Widerstand eines JFET ist typischerweise viel kleiner als der Drain-Widerstand. Dies liegt daran, dass die Source eines JFET mit der Erde verbunden ist, die einen sehr geringen Widerstand aufweist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Versorgungsspannung am Drain: 5 Volt --> 5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 10 Ampere --> 10 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 0.12 Ohm --> 0.12 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Quellenwiderstand: 0.211 Ohm --> 0.211 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in) --> 5-10*(0.12+0.211)

Auswerten ... ...

V_ds = 1.69

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.69 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.69 Volt <-- Drain-Source-Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Drain-Source-Spannung des FET Formel

Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)
V_ds = V_dd-I_d*(R_drain+R_in)

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