Longueur effective du canal Calculatrice

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✖La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.ⓘ Longueur de jonction PN [L_pn]			+10% -10%
✖La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.ⓘ Largeur de la région d'épuisement [L_d]			+10% -10%

✖La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.ⓘ Longueur effective du canal [L_eff]

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Formule

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Longueur effective du canal

Formule

`"L"_{"eff"} = "L"_{"pn"}-"L"_{"d"}`

Exemple

`"7.99mm"="19mm"-"11.01mm"`

Calculatrice

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Longueur effective du canal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
L_eff = L_pn-L_d
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.
Longueur de jonction PN - (Mesuré en Mètre) - La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.
Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Longueur de jonction PN: 19 Millimètre --> 0.019 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de la région d'épuisement: 11.01 Millimètre --> 0.01101 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_eff = L_pn-L_d --> 0.019-0.01101

Évaluer ... ...

L_eff = 0.00799

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00799 Mètre -->7.99 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

7.99 Millimètre <-- Longueur effective du canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Longueur effective du canal Formule

Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
L_eff = L_pn-L_d

Quelle est l’importance de la longueur du canal ?

Idéalement, Ids est indépendant de Vds pour un transistor en saturation, faisant du transistor une source de courant parfaite. la jonction p – n entre le drain et le corps forme une région d'appauvrissement avec une largeur Ld qui augmente avec Vdb, ainsi la région d'appauvrissement raccourcit efficacement la longueur du canal.

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