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   Caractéristiques des circuits CMOS PDF
Formules : 15
Taille : 356 kb
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Contenu du PDF Caractéristiques des circuits CMOS

Liste des 15 Caractéristiques des circuits CMOS Formules

Capacité effective en CMOS
​Aller
Champ électrique critique
​Aller
CMOS Moyenne Parcours Libre
​Aller
Épaisseur de la couche d'oxyde
​Aller
Largeur de diffusion de la source
​Aller
Largeur de la porte
​Aller
Largeur de la région d'appauvrissement
​Aller
Largeur de transition du CMOS
​Aller
Longueur de jonction PN
​Aller
Longueur effective du canal
​Aller
Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source
​Aller
Permittivité de la couche d'oxyde
​Aller
Tension au minimum EDP
​Aller
Tension critique CMOS
​Aller
Zone de diffusion de la source
​Aller

Variables utilisées dans le PDF Caractéristiques des circuits CMOS

  1. µe Mobilité de l'électron (Centimètre carré par volt seconde)
  2. As Zone de diffusion de la source (Millimètre carré)
  3. Ceff Capacité effective en CMOS (microfarades)
  4. Cgs Capacité de la porte MOS (microfarades)
  5. Cin Capacité de la porte d'entrée (microfarades)
  6. Cmos Capacité de chevauchement de porte MOS (microfarades)
  7. Cox Capacité de la couche d'oxyde de grille (Microfarad par millimètre carré)
  8. D Cycle de service
  9. Ds Longueur de la source (Millimètre)
  10. Ec Champ électrique critique (Volt par millimètre)
  11. ioff Hors courant (Milliampère)
  12. L Libre parcours moyen (Millimètre)
  13. Ld Largeur de la région d'épuisement (Millimètre)
  14. Leff Longueur effective du canal (Millimètre)
  15. Lg Longueur de la porte (Millimètre)
  16. Lpn Longueur de jonction PN (Millimètre)
  17. Ng Portes sur le chemin critique
  18. Ps Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source (Millimètre)
  19. tox Épaisseur de la couche d'oxyde (Millimètre)
  20. Vbc Tension du collecteur de base (Volt)
  21. Vc Tension critique dans CMOS (Volt)
  22. Vedp Tension à l'EDP minimum (Volt)
  23. Vsat Saturation de la vitesse (Millimètre / seconde)
  24. Vt Tension de seuil (Volt)
  25. W Largeur de transition (Millimètre)
  26. Wg Largeur du portail (Millimètre)
  27. α Facteur d'activité
  28. εox Permittivité de la couche d'oxyde (Microfarad par millimètre)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Caractéristiques des circuits CMOS

  1. Constante: [BoltZ], 1.38064852E-23
    Constante de Boltzmann
  2. La mesure: Longueur in Millimètre (mm)
    Longueur Conversion d'unité
  3. La mesure: Courant électrique in Milliampère (mA)
    Courant électrique Conversion d'unité
  4. La mesure: Zone in Millimètre carré (mm²)
    Zone Conversion d'unité
  5. La mesure: La rapidité in Millimètre / seconde (mm/s)
    La rapidité Conversion d'unité
  6. La mesure: Capacitance in microfarades (μF)
    Capacitance Conversion d'unité
  7. La mesure: Intensité du champ électrique in Volt par millimètre (V/mm)
    Intensité du champ électrique Conversion d'unité
  8. La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
    Potentiel électrique Conversion d'unité
  9. La mesure: Mobilité in Centimètre carré par volt seconde (cm²/V*s)
    Mobilité Conversion d'unité
  10. La mesure: Capacité d'oxyde par unité de surface in Microfarad par millimètre carré (μF/mm²)
    Capacité d'oxyde par unité de surface Conversion d'unité
  11. La mesure: Permittivité in Microfarad par millimètre (μF/mm)
    Permittivité Conversion d'unité
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